[发明专利]差分放大器有效

专利信息
申请号: 201280053209.3 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN103907285A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: S·希鲁希安;G·T·尤伊哈拉 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 差分放大器
【权利要求书】:

1.一种差分放大器,包括:

第一对互补晶体管,具有耦合至所述差分放大器的第一输入节点的第一控制端子和耦合至所述差分放大器的第一输出节点用于驱动负载的第一驱动端子;

第二对互补晶体管,具有耦合至所述差分放大器的第二输入节点的第二控制端子和耦合至所述差分放大器的第二输出节点用于驱动所述负载的第二驱动端子;以及

电流源,被配置为维持流经所述第一对互补晶体管和所述第二对互补晶体管的基本恒定的总电流。

2.根据权利要求1所述的差分放大器,其中所述电流源是第一电流源,所述差分放大器进一步包括第二电流源,并且所述第一电流源和所述第二电流源分别被配置为维持来自高电压源的第一基本恒定电流以及来自低电压源的第二基本恒定电流。

3.根据权利要求1所述的差分放大器,进一步包括:

共模反馈电路,被配置为抑制所述第一输出节点和所述第二输出节点处的共模响应。

4.根据权利要求3所述的差分放大器,其中所述共模反馈电路被配置为参照基准电压来维持所述第一输出节点和所述第二输出节点处的共模水平。

5.根据权利要求4所述的差分放大器,进一步包括:

基准电压生成器,被配置为基于二极管连接的第三对互补晶体管来生成所述基准电压。

6.根据权利要求5所述的差分放大器,其中所述第三对互补晶体管具有与所述第一对和所述第二对相匹配的特性。

7.根据权利要求5所述的差分放大器,其中所述基准电压生成器被配置为生成去往电压调节器的反馈信号,以使得所述电压调节器能够基于所述反馈信号来调整去往所述差分放大器的供电电压。

8.根据权利要求7所述的差分放大器,其中所述反馈信号被提供至在与所述差分放大器相同的集成电路(IC)芯片上的所述电压调节器。

9.根据权利要求7所述的差分放大器,其中所述反馈信号被提供至在包括所述差分放大器的集成电路(IC)芯片外部的所述电压调节器。

10.根据权利要求1所述的差分放大器,进一步包括:

可调整的电阻部件,被配置为调整所述差分放大器的增益。

11.根据权利要求1所述的差分放大器,其中所述负载包括分别耦合至所述输出节点的第一电流源负载和第二电流源负载。

12.根据权利要求11所述的差分放大器,其中所述第一电流源负载和所述第二电流源负载使用同一类型的晶体管。

13.根据权利要求11所述的差分放大器,其中所述负载包括具有与所述第一电流源负载互补类型的第三电流源负载以及与所述第二电流源负载互补类型的第四电流源负载。

14.根据权利要求1所述的差分放大器,其中所述第一对互补晶体管包括第一P型金属氧化物半导体(MOS)晶体管和第一N型MOS晶体管,所述第一控制端子是所述第一P型MOS晶体管和所述第一N型MOS晶体管的栅极端子,并且所述第一驱动端子是所述第一P型MOS晶体管和所述第一N型MOS晶体管的漏极端子,并且所述第二对互补晶体管包括第二P型MOS晶体管和第二N型MOS晶体管,所述第二控制端子是所述第二P型MOS晶体管和所述第二N型MOS晶体管的栅极端子,并且所述第二驱动端子是所述第二P型MOS晶体管和所述第二N型MOS晶体管的漏极端子。

15.一种电路,包括:

一对互补晶体管,被配置为具有与差分放大器中的互补晶体管对相匹配的特性;以及

反馈信号生成电路,被配置为基于所述一对互补晶体管上的电压降来生成反馈信号,所述反馈信号被用于调整去往所述差分放大器的供电电压。

16.根据权利要求9所述的电路,进一步包括:

电压调节器,被配置为基于所述反馈信号来调节去往所述差分放大器的所述供电电压。

17.根据权利要求9所述的电路,其中所述反馈信号被提供至向所述差分放大器提供所述供电电压的外部电压调节器。

18.根据权利要求9所述的电路,其中所述一对互补晶体管被配置为具有二极管连接的拓扑。

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