[发明专利]基板处理装置及方法

权利要求书

1.基板处理方法，用于制造相变存储器，其特征在于，包括：

在形成图案的基板形成下部电极的过程；

通过所述形成下部电极的过程，清除在基板表面生成或残留的杂质的表面处理过程；

对所述清除杂质的基板表面执行氮化处理的过程；

在所述下部电极上按顺序沉积相变层及上部电极的过程。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述形成下部电极的过程，包括：

在基板沉积绝缘层后，形成待形成下部电极的下部电极接触孔的过程；

在形成所述接触孔的基板表面沉积氮化层的过程；

所述下部电极接触孔的氮化层除外，清除其余的氮化层的过程。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述表面处理，利用含有H₂的气体进行等离子处理。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述氮化处理，在含有氮气的环境进行热处理或等离子处理。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述热处理，至少流出N₂、N₂O、NH₃气体中的一种执行。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

在8Torr以上的压力条件、700℃以上的温度条件进行处理。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其特征在于，

所述热处理，以1000sccm流量，至少将N₂、N₂O、NH₃气体中的一种流出10分钟进行处理。

8.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述等离子处理，至少以N₂、N₂O、NH₃气体中的一种等离子化进行处理。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

所述等离子处理，在300℃以上的温度条件进行处理。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述相变层，至少由锗(Ge)、锑(Sb)及碲(Te)中的一种构成的化合物。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，

所述相变层，在GaSb、InSb、InSe、Sb₂Te₃、GeTe中任一种的2元素化合物；GeSbTe、GaSbTe、InSbTe、SnSb₂Te₄、InSbTe中任一种的3元素化合物；AgInSbTe、(GeSn)SbTe、GeSb(SeTe)、Te₈₁Ge₁₅Sb2S₂中任一种的4元素化合物中，至少由其中一种构成的化合物。

12.根据权利要求1或10所述的基板处理方法，其特征在于，

所述下部电极及所述上部电极为，包括氮(N)的化合物。

13.基板处理装置，用于制造相变存储器，其特征在于，包括：

装载锁定腔室，装载及卸载多个基板，并且在大气状态与真空状态之间变换；

真空移送腔室，内部维持真空状态由多角面形态构成，在多个面中的一面结合所述装载锁定腔室，并且具有为了移送基板的基板移送机器人；

等离子处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，氮化处理形成表面被处理的下部电极的基板表面，在被氮化处理的面沉积相变层，并且这种氮化处理及沉积，在相同的腔室由连续的工序构成。