[发明专利]自粘型膜及最小化或消除此种膜中的印刷缺陷的方法

权利要求书

1.一种自粘型印刷膜，包括：

具有上表面和下表面的聚合物层，所述聚合物层适于在所述上表面上接收印刷介质；以及

布置在所述聚合物层的所述下表面上的粘合剂层；

其中所述聚合物层包括分布在所述聚合物层内或布置在所述聚合物层表面周围的低表面能添加剂。

2.如权利要求1所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层包括从约0.1wt.％至约10wt.％的所述低表面能添加剂。

3.如权利要求1所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层包括从约0.1wt.％至约5wt.％的所述低表面能添加剂。

4.如权利要求1-3中任一项所述的自粘型印刷膜，其中低表面能添加剂在所述聚合物层中处于基本上游离形式。

5.如权利要求1-3中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述低表面能添加剂共价地结合到聚合物材料，形成所述聚合物层。

6.如权利要求1-5中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述低表面能材料选自含有机硅的材料、含氟聚合物、聚对亚苯基二甲基、聚酰胺、聚酰亚胺或其两种或更多种的组合。

7.如权利要求1-5中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述低表面能添加剂是含有机硅的材料，所述含有机硅的材料选自硅氧烷、硅烷或其组合。

8.如权利要求7所述的自粘型印刷膜，其中所述低表面能添加剂选自下式的硅氧烷：

其中R基团独立地选自烷基基团、芳基基团、烯基基团、炔基基团、酰基基团、烷氧基基团、缩水甘油基基团或其两种或更多种的组合。

9.如权利要求7或8所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层在所述聚合物层的所述上表面处包括至少约3原子％的原子Si。

10.如权利要求7或8所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层在所述聚合物层的所述上表面处包括至少约4原子％的原子Si。

11.如权利要求7或8所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层在所述聚合物层的所述上表面处包括至少约5原子％的原子Si。

12.如权利要求7或8所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层在所述聚合物层的所述上表面处包括从约3原子％至约15原子％的原子Si。

13.如权利要求1-12中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述聚合物层包括聚氯乙烯。

14.如权利要求1-13中任一项所述的自粘型印刷膜，进一步包括布置在所述粘合剂层的下表面上的剥离衬垫。

15.如权利要求14所述的自粘型印刷膜，其中所述剥离衬垫包括与所述粘合剂层的所述下表面相接触的有机硅剥离层，以及与所述有机硅剥离层相对的下层，所述剥离衬垫的所述下层在其下表面上包括残余的有机硅。

16.如权利要求1-15中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述低表面能添加剂具有从约5达因/cm至约50达因/cm的表面能。

17.如权利要求1-16中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述印刷层具有的特征为当新膜在室温下进行印刷时具有第一网点面积，并且当在50℃的温度和2psi的压力下暴露两周之后印刷膜时具有第二网点面积，所述第二网点面积具有的值在所述第一网点面积的约20％之内。

18.如权利要求1-16中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述印刷层具有的特征为当新膜在室温下进行印刷时具有第一网点面积，并且当在50℃的温度和2psi的压力下暴露两周之后印刷膜时具有第二网点面积，所述第二网点面积具有的值在所述第一网点面积的约15％之内。

19.如权利要求1-16中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述印刷层具有的特征为当新膜在室温下印刷进行时具有第一网点面积，并且当在50℃的温度和2psi的压力下暴露两周之后印刷膜时具有第二网点面积，所述第二网点面积具有的值在所述第一网点面积的约10％之内。

20.如权利要求1-16中任一项所述的自粘型印刷膜，其中所述印刷层具有的特征为当新膜在室温下印刷进行时具有第一网点面积，并且当在50℃的温度和2psi的压力下暴露两周之后印刷膜时具有第二网点面积，所述第二网点面积具有的值在所述第一网点面积的约0.1％至约20％之内。