[发明专利]OLED的结构化有效
申请号: | 201280053638.0 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN104025297A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | H.F.博尔纳;H.胡姆梅 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘红;汪扬 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 结构 | ||
1. 一种用于制造具有发光区域和非发射区域的结构化图案的有机电致发光发光器件(1)的方法,包括步骤:
- 提供(P)至少局部地覆盖有作为第一电极(3)的至少一个传导层的衬底(2);
- 在第一电极(3)之上局部地沉积(D-SML)叠层改性层(4)以便建立形成希望的结构化图案的、覆盖有叠层改性层(4)的第一区域(31)和邻近第一区域(31)的未覆盖的第二区域(32);
- 在局部地涂敷有叠层改性层(4)的第一电极(3)之上沉积(D-OLS)包括至少一个有机发光层(51)的有机层叠层(5),从而提供这样的有机层叠层(5),该有机层叠层在第一区域(31)中通过有机层叠层(5)与第一电极(3)之间的叠层改性层(4)与第一电极(3)分开并且在第二区域(32)中直接电接触第一电极(3);以及
- 在有机层叠层(5)之上沉积(D-SE)作为第二电极(6)的传导金属层以便完成功能层叠层(7),其中叠层改性层(4)上方的第一区域(31)不含传导金属,不会掩盖这些第一区域(31)。
2. 依照权利要求1的方法,特征在于,叠层改性层由真空油脂组的至少一种材料制成,该组包括全氟化材料,优选地来自内陆真空行业Churchville纽约14428的PTFE TEC油脂、来自杜邦的Krytox油脂,或者全氟化真空泵油,优选地来自苏威的Y级氟必琳、来自杜邦的Krytox流体、来自克鲁勃的全氟化Tyreno流体,更优选地Tyreno流体12/25V。
3. 依照权利要求1或2的方法,特征在于,叠层改性层(4)的沉积(D-SML)通过在第一电极(3)之上依照希望的图案印刷(PR)而执行。
4. 依照前面的权利要求中任何一项的方法,特征在于,结构化图案被设计成通过将第一区域(31)布置在第二区域(32)之间,在衬底(2)之上划分第二区域(32),允许沿着第一区域(31)切割(CT)衬底(2)而将发光第二区域(32)彼此分开,优选地,将第二区域(32)布置成以行列布置的、条带状第一区域(31)介于其间的矩形状第二区域(32)的阵列。
5. 依照前面的权利要求中任何一项的方法,特征在于,有机层叠层(5)的沉积(D-OLS)和第二电极(6)的沉积通过应用包括蒸发的薄膜沉积技术(VP)在真空室中执行,其中沉积(D-SML)叠层改性层(4)的步骤在衬底(2)进入真空室中之前执行。
6. 依照前面任何一项权利要求的方法,特征在于,用于作为第二电极(6)的传导层的材料为铝或银。
7. 依照前面任何一项权利要求的方法,特征在于,在沉积(D-SE)第二电极(6)之后,应用移除步骤(R-SML)以便使用溶剂(10)将叠层改性层(4)和叠层改性层(4)之上的有机层叠层(5)从第一区域(31)中移除,该溶剂对于有机层叠层(5)具有充分的化学惰性以便不攻击第二区域(32)之上的有机层叠层(5)。
8. 依照权利要求7的方法,特征在于,溶剂(10)是一种氟化液体材料,优选地为3M氟化液体,更优选地为FC-43或FC-87,以便排除由于使用溶剂而引起的任何负面寿命影响。
9. 依照权利要求7或8的方法,特征在于,移除步骤(R-SML)之后是清洁步骤(C),该清洁步骤将氧等离子体应用到第二电极(6),优选地限于第一区域(31)。
10. 依照权利要求7-9中任何一项的方法,特征在于,在完成(F-FLS)功能层叠层(7)之后,通过上胶盖(11)或者利用薄膜封装(12)封闭(GL,TFE)功能层叠层(7)。
11. 依照权利要求1-9中任何一项的方法,特征在于,在完成(F-FLS)功能层叠层(7)之后,将封闭功能层叠层(7)的罩盖(8)附接(CL)到衬底(2),功能层叠层(7)与罩盖(8)之间的体积先前至少部分地填充(F-SL)有第二化学惰性液体(9)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的