[发明专利]热电转换材料和热电转换元件有效
申请号: | 201280053958.6 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103907212B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 西尾亮;青合利明;林直之;高桥依里 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L35/08 | 分类号: | H01L35/08;H01L35/24;H01L35/34;C08G61/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 丁香兰,孟伟青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热电 转换 材料 元件 | ||
1.一种热电转换材料,其为含有碳纳米管和共轭高分子的热电转换材料,该共轭高分子为包含至少下述(A)和(B)作为具有共轭体系的重复单元的共轭高分子,
(A):烃环和/或杂环进行3环以上稠合而成的稠多环结构;
(B):单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的稠环结构。
2.如权利要求1所述的热电转换材料,其中,所述重复单元(B)为单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构、或包含这些的二稠环结构。
3.如权利要求1或2所述的热电转换材料,其中,所述热电转换材料含有非共轭高分子。
4.如权利要求1~3中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,所述共轭高分子包含下述通式(1)表示的结构作为重复单元,
[化学式1]
通式(1)中,C和E各自独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环结构,D表示烃环或杂环结构;C、D、E的各环分别具有或不具有取代基;L表示-CH=CH-、-C≡C-或-N=N-;n表示0或1;B表示单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的二稠环结构;*表示重复单元的连接部位。
5.如权利要求1~4中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,所述共轭高分子包含下述通式(2)表示的结构作为重复单元,
[化学式2]
通式(2)中,G表示烃环或杂环结构;环G具有或不具有取代基;R1和R2各自独立地表示氢原子或取代基;L表示-CH=CH-、-C≡C-或-N=N-;n表示0或1;B表示单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的二稠环结构;*表示重复单元的连接部位。
6.如权利要求1~4中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,所述共轭高分子包含下述通式(3)表示的结构作为重复单元,
[化学式3]
通式(3)中,H表示烃环或杂环结构;环H具有或不具有取代基;R3和R4各自独立地表示氢原子或取代基;L表示-CH=CH-、-C≡C-或-N=N-;n表示0或1;B表示单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的二稠环结构;*表示重复单元的连接部位。
7.如权利要求4~6中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,在所述通式(1)、(2)或(3)中,3稠环结构的中心的环取代有直链或支链的烷基。
8.如权利要求4~7中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,在所述通式(1)、(2)或(3)中,B为噻吩环结构、苯环结构或包含这些的二稠环结构。
9.如权利要求1~8中任一项所述的热电转换材料,其中,所述共轭高分子中包含的重复单元(A)与(B)的摩尔比为1:1。
10.如权利要求3~9中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,所述非共轭高分子是将选自由乙烯基化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物、碳酸酯化合物、酯化合物、酰胺化合物、酰亚胺化合物和硅氧烷化合物组成的组中的化合物聚合而成的高分子化合物。
11.如权利要求1~10中任一项所述的热电转换材料,其中,所述热电转换材料包含溶剂,所述热电转换材料是将所述碳纳米管分散于该溶剂中而成的。
12.如权利要求1~11中任一项所述的热电转换材料,其中,所述热电转换材料包含掺杂剂。
13.如权利要求1~12中任一项所述的热电转换材料,其中,所述热电转换材料包含热激发辅助剂。
14.如权利要求12所述的热电转换材料,其中,所述掺杂剂为鎓盐化合物。
15.如权利要求1~14中任一项所述的热电转换材料,其中,所述热电转换材料的含水率为0.01质量%以上且15质量%以下。
16.一种热电转换元件,其是在热电转换层中使用了权利要求1~15中任一项所述的热电转换材料的热电转换元件。
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