[发明专利]沉淀二氧化硅吸附剂有效
| 申请号： | 201280053976.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103906567A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郭群晖;C·L·诺克斯;R·O·科拉;J·马丁;S·M·莫纳特;T·A·奥克尔;D·E·拉登 | 申请（专利权）人： | PPG工业俄亥俄公司 |
| 主分类号： | B01J20/10 | 分类号： | B01J20/10;B01J20/28;B01J20/32;C01B33/193;C01B33/18;B01D69/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙悦 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉淀 二氧化硅 吸附剂 | ||
1.一种分离介质，其包含旋转干燥的或者喷雾干燥的沉淀二氧化硅，所述二氧化硅具有孔表面积P，其中log10P>2.2，和其中在该二氧化硅进行任何表面改性之前所测量的BET与CTAB之比是至少1.0。
2.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅具有这样的粒度分布，其中大于90％的该二氧化硅颗粒具有等于平均颗粒直径的颗粒直径。
3.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅的BET为20-900m2/g。
4.权利要求3的分离介质，其中该二氧化硅的BET为125-700m2/g。
5.权利要求4的分离介质，其中该二氧化硅的BET为190-350m2/g。
6.权利要求4的分离介质，其中该二氧化硅的BET为351-700m2/g。
7.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅的CTAB为20-700m2/g。
8.权利要求7的分离介质，其中该二氧化硅的CTAB为120-500m2/g。
9.权利要求8的分离介质，其中该二氧化硅的CTAB为170-280m2/g。
10.权利要求8的分离介质，其中该二氧化硅的CTAB为281-500m2/g。
11.权利要求2的分离介质，其中BET与CTAB之比是至少1.1。
12.权利要求2的分离介质，其中BET与CTAB之比是1.0-1.5。
13.权利要求2的分离介质，其中BET与CTAB之比是1.5-4.0。
14.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅已经用选自下面的抗污垢部分进行了表面处理：聚乙二醇、羧基甜菜碱、磺基甜菜碱及其聚合物、混合价分子、其低聚物和聚合物和所述物质的所有共混物。
15.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅包括二氧化硅的共混物，其中第一二氧化硅已经用带正电的部分进行了处理，第二二氧化硅已经用带负电的部分进行了处理。
16.权利要求1的分离介质，其中该二氧化硅已经用可到达的路易斯酸和路易斯碱部分进行了表面改性。
17.一种从流体流中分离悬浮的或者溶解的材料的方法，其包含将该流与权利要求1的分离介质接触。
18.权利要求17的方法，其中该二氧化硅是未处理的，和待从流体流中分离的物质吸附到该分离介质的表面上。
19.权利要求17的方法，其中该二氧化硅已经用官能团进行了表面改性，并且待从流体流中分离的物质被化学吸收或者物理吸附到该官能团上和/或通过该官能团降解。
20.权利要求17的方法，其中待从流体流中分离的物质包含毒素。
21.权利要求4的方法，其中待从流体流中分离的物质包含神经毒素。
22.权利要求17的方法，其中该流与分离介质在过滤隔膜中接触。
23.权利要求17的方法，其中该流与分离介质在流化床中接触。
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