[发明专利]溅射靶材及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶材，其特征在于，使用了以质量％计纯度为99.99％以上、相对密度超过98％、且平均晶粒直径为8μm以下的氧化镁烧结体。

2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，使用了以质量％计纯度为99.995％以上的氧化镁烧结体。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，使用了以质量％计纯度为99.999％以上的氧化镁烧结体。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶材，其特征在于，平均晶粒直径为5μm以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶材，其特征在于，平均晶粒直径为2μm以下。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶材，其特征在于，平均晶粒直径为1μm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的溅射靶材，其特征在于，利用X射线衍射得到的峰强度比I(111)/I(200)为8％以上且不足25％。

8.根据权利要求7所述的溅射靶材，其特征在于，磨削加工成利用X射线衍射得到的峰强度比I(111)/I(200)为8％以上且不足25％的面成为溅射时的烧蚀面。

9.一种使用了以质量％计纯度为99.99％以上的氧化镁烧结体的溅射靶材的制造方法，其特征在于，实施1250～1350℃下的热压烧结得到烧结体后，在大气中实施1250～1400℃的退火处理。

10.根据权利要求9所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，实施了1250～1350℃下的热压烧结后，在大气中实施1250～1400℃的退火处理，得到热压面的利用X射线衍射得到的峰强度比I(111)/I(200)为8％以上且不足25％的烧结体，然后对烧结体进行磨削加工以使热压面成为溅射时的烧蚀面。

11.一种使用了以质量％计纯度为99.99％以上的氧化镁烧结体的溅射靶材的制造方法，其特征在于，实施1250～1350℃下的热压烧结得到烧结体后，在大气中、于1000～1250℃下实施10小时以上的退火处理。

12.根据权利要求11所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，实施了1250～1350℃下的热压烧结后，在大气中、于1000～1250℃下实施10小时以上的退火处理，得到热压面的利用X射线衍射得到的峰强度比I(111)/I(200)为8％以上且不足25％的烧结体，然后对烧结体进行磨削加工以使热压面成为溅射时的烧蚀面。