[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201280054324.2 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103918062A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 堀井拓 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
制备由碳化硅制成的衬底(10)；
在所述衬底(10)的表面(10A)上形成栅极绝缘膜(20)；
在所述栅极绝缘膜(20)上形成栅电极(30)；
在所述栅极绝缘膜(20)上形成层间绝缘膜(40)以便包围所述栅电极(30)；
形成接触孔(80)，所述接触孔(80)延伸通过所述层间绝缘膜(40)以暴露所述衬底(10)的所述表面(10A)并且与所述栅电极(30)分离；
在所述接触孔(80)的侧壁表面(80A)上并且与所述接触孔(80)的所述侧壁表面(80A)接触地形成第一金属膜(51)，所述第一金属膜(51)包含Ti和Si中的至少一种并且不包含Al；
在所述第一金属膜(51)上并且与所述第一金属膜(51)接触地形成包含Ti、Al以及Si的第二金属膜(52)；并且
通过加热所述第一和第二金属膜(51，52)形成包含Ti、Al以及Si的源电极(50)。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第二金属膜(52)的步骤中，所述第二金属膜(52)被形成为与通过形成所述接触孔(80)被暴露的所述衬底(10)的所述表面(10A)接触。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第二金属膜(52)的步骤中，所述第二金属膜(52)被形成为具有被依次堆叠的第一金属层(52a)、第二金属层(52b)以及第三金属层(52c)，所述第一金属层(52a)包含Ti，所述第二金属层(52b)在所述第一金属层(52a)上并且与所述第一金属层(52a)接触，并且包含Al，所述第三金属层(52c)在所述第二金属层(52b)上并且与所述第二金属层(52b)接触，并且包含Si。
4.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第二金属膜(52)的步骤中，所述第二金属膜(52)被形成为包含被相互混合的Ti、Al以及Si。
5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第一金属膜(51)的步骤中，所述第一金属膜(51)被形成为具有不小于0.1μm并且不大于1μm的厚度。
6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第一金属膜(51)的步骤中，所述第一金属膜(51)被形成为包含Ti并且不包含Al。
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