[发明专利]制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物无效

专利信息
申请号: 201280054346.9 申请日: 2012-09-03
公开(公告)号: CN103917487A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 木下智之;岩永宏平;浅野祥生;川畑贵裕;大岛宪昭;平井聪里;原田美德;新井一喜;多田贤一 申请(专利权)人: 东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
主分类号: C01B13/32 分类号: C01B13/32;C01B33/113;C01G23/04;C07F7/10;C07F7/18;C07F7/28;H01L21/316
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用材 iv 金属 氧化物 乙烯基 二酰胺 络合物
【权利要求书】:

1.一种制膜用材料,其特征在于,通过使通式(1)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而得到,

式(1)中,M1表示钛原子、硅原子、锆原子或铪原子,R1和R4各自独立地表示碳数3~12的烷基,R2和R3各自独立地表示氢原子或碳数1~4的烷基,R5表示可以被氟原子取代的碳数1~12的烷基。

2.根据权利要求1所述的制膜用材料,其特征在于,通式(1)中的M1为钛原子、锆原子或铪原子。

3.一种制膜用材料,其特征在于,通过使通式(2)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而制造,

式(2)中,M2表示钛原子或硅原子,R6和R9各自独立地表示C1~C12烷基,R7和R8各自独立地表示氢原子或C1~C4烷基,R10表示C1~C6烷氧基或二(C1~C6烷基)氨基,Q表示可以被C1~C3烷基取代的C2~C6亚甲基。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的制膜用材料,其特征在于,制膜用材料是通过溶解于分子内含2个以上氧原子的醇,然后进行加热而得到的制膜用材料。

5.根据权利要求4所述的制膜用材料,其特征在于,醇为溶纤剂类。

6.根据权利要求5所述的制膜用材料,其特征在于,溶纤剂类为乙二醇单甲醚。

7.一种制膜用材料,其特征在于,通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇,然后进行加热而得到。

8.根据权利要求7所述的制膜用材料,其特征在于,醇为溶纤剂类。

9.根据权利要求8所述的制膜用材料,其特征在于,溶纤剂类为乙二醇单甲醚。

10.一种制膜用材料溶液,其特征在于,包含权利要求1~9中任一项所述的制膜用材料和有机溶剂。

11.根据权利要求10所述的制膜用材料溶液,其特征在于,有机溶剂为醇类。

12.根据权利要求11所述的制膜用材料溶液,其特征在于,醇类为乙二醇单甲醚。

13.一种IV族金属氧化物膜的制作方法,其特征在于,将权利要求10~12中任一项所述的制膜材料溶液涂布于基板表面,对该基板进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理。

14.一种亚乙烯基二酰胺络合物,其特征在于,如通式(2)所示,

式(2)中,M2表示钛原子或硅原子,R6和R9各自独立地表示C3~C12烷基,R7和R8各自独立地表示氢原子或C1~C4烷基,R10表示C1~C6烷氧基或二(C1~C6烷基)氨基,Q表示可以被C1~C3烷基取代的C2~C6亚甲基。

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