[发明专利]用于半导体晶体材料形成的系统

权利要求书

1.一种用于半导体晶体材料形成的系统，其包括：

被配置为包含液体金属的第一室；

经由储液器导管与所述第一室流体通联的第二室，所述第二室具有大于第一室表面积的表面积；以及

蒸汽输送导管，其包括至少被部分包含于所述第一室内并且浸入所述液体金属的起泡器，所述起泡器被配置为将气相反应材料输送至所述液体金属内并形成金属卤化物气相产物；

并且

其中，所述第一室和第二室通过所述储液器导管相连，所述储液器导管在相对于所述第一室的高度的下半部连接至所述第一室并且在相对于所述第二室的高度的下半部连接至所述第二室；并且其中，起泡器的浸入部分包括多个沿着浸入部分的长度延伸的开口，所述浸入部分具有从第一室的第一壁向外延伸、进入第一室的容量并且指向与第一壁相对的第一室的第二壁的长度。

2.根据权利要求1所述的系统，其还包括连接至所述第一室的出口，所述出口被配置为将所述金属卤化物气相产物从所述第一室移除。

3.根据权利要求2所述的系统，其中出口导管连接至生长室。

4.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述第二室包括大于第一室容量的容量。

5.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述蒸汽输送导管是起泡器，所述起泡器包括被配置为部分浸入所述第一室内液体金属的浸入部分。

6.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述第一室被包含于生长室内而所述第二室在所述生长室之外。

7.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中部分所述蒸汽输送导管在生长室之外。

8.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述第二室被配置为，随着所述第一室内的液体金属材料与所述气相反应材料反应，补充所述第一室内的液体金属材料。

9.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述液体金属包括镓。

10.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述液体金属包括过渡金属材料。

11.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述金属卤化物气相产物包括氯。

12.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述第一室、第二室、蒸汽输送导管或它们的组合包括二氧化硅。

13.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述金属卤化物气相产物被配置为在外延生长工艺中使用以形成III-V族氮化物半导体材料。

14.根据权利要求1和3中任意一项所述的系统，其中所述金属卤化物气相产物为在形成III-V族氮化物半导体材料晶锭的外延生长工艺中使用而配置，所述III-V族氮化物半导体材料晶锭具有大于4mm的厚度。