[发明专利]用于控制烃原料气化的系统和方法

权利要求书

1.一种用于控制一种或多种烃原料气化的方法，其包括：

将第一氧化剂引入到气化器；

将第一烃原料引入到第一氧化剂下游的气化器；

将第二氧化剂引入到第一氧化剂和第一烃原料下游的气化器，其中将第二氧化剂从气化器外部的位置引入；和

气化至少一部分的第一烃原料以生成合成气。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将第二烃原料引入到第二氧化剂下游的气化器。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将第三氧化剂引入到第二氧化剂下游的气化器，其中将第三氧化剂从气化器外部的位置引入。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：引入第二氧化剂下游的第二烃原料并引入第二烃原料下游的第三氧化剂，其中将第三氧化剂从气化器外部的位置引入。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使微粒通过气化器循环，其中循环微粒包括：砂、灰分、陶瓷、石灰石或其任意组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使微粒通过气化器循环，并且其中引入第一烃原料产生一种或多种循环微粒的第一温度，所述第一温度为约700℃至约1000℃，并且其中引入第二氧化剂产生一种或多种循环微粒的第二温度，所述第二温度为约700℃至约1000℃。

7.根据权利要求6所述的方法，其中第一温度和第二温度彼此之间的差异低于约150℃。

8.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括使微粒通过气化器循环，其中引入第一烃原料产生一种或多种循环微粒的第一温度，所述第一温度为约700℃至约1000℃，其中引入第二氧化剂产生一种或多种循环微粒的第二温度，所述第二温度为约700℃至约1000℃，其中引入第二烃原料产生一种或多种循环微粒的第三温度，所述第三温度为约700℃至约1000℃，并且其中引入第三氧化剂产生一种或多种循环微粒的第四温度，所述第四温度为约700℃至约1000℃。

9.根据权利要求8所述的方法，其中第一温度、第二温度、第三温度和第四温度彼此之间的差异低于约150℃。

10.一种用于控制一种或多种烃原料气化的方法，其包括：

将第一氧化剂引入到气化器的第一混合区；

将第一烃原料引入到气化器的第二混合区；

在第一氧化剂的存在下燃烧至少一部分的第一烃原料以产生第一燃烧气体和第一热；

将第二氧化剂引入到第一烃原料下游的第二混合区，其中将第二氧化剂从气化器外部的位置引入；

在第二氧化剂和第一燃烧气体的存在下燃烧第一烃原料的第二部分以产生第二燃烧气体和第二热；和

气化至少一部分的第一烃原料以生成合成气。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：将第二烃原料引入到第二氧化剂下游的第二混合区，在第二氧化剂的存在下燃烧至少一部分的第二烃原料，和气化至少一部分的第二烃原料以产生合成气。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：将第三氧化剂引入到第二氧化剂下游的第二混合区，其中将第三氧化剂从气化器外部的位置引入。

13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：将第二烃原料引入到第二氧化剂下游的第二混合区，在第二氧化剂的存在下燃烧至少一部分的第二烃原料，气化至少一部分的第二烃原料以产生合成气，并且进一步包括：将第三氧化剂引入到第二烃原料下游的第二混合区，其中将第三氧化剂从气化器外部的位置引入。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：使微粒通过气化器循环，并且进一步包括：燃烧存在于循环微粒上的至少一部分的含碳材料。

15.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：使微粒通过气化器循环，其中在第二混合区内引入第一烃原料产生一种或多种循环微粒的第一温度，所述第一温度为约700℃至约1000℃，并且其中在第二混合区内引入第二氧化剂产生一种或多种循环微粒的第二温度，所述第二温度为约700℃至约1000℃，并且其中第一温度和第二温度彼此之间的差异低于约150℃。