[发明专利]溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶具有如下的成分组成：

含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na₂S化合物或Na₂Se化合物中的至少一种状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例来含有Na，氧浓度为200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的杂质构成。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，

所述溅射靶具有Na化合物相分散于由Cu、Ga、In及Se构成的靶基体中的组织，并且所述Na化合物相的平均粒径为5μm以下。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，

所述溅射靶以合金的形态来含有靶基体中的Ga。

4.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，

所述溅射靶以四元合金的形态来含有靶基体中的Cu、Ga、In及Se。

5.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，

在基于粉末X射线衍射法的定性分析中，所述四元合金为黄铜矿型CuInSe₂相与CuGaSe₂相的固溶体合金相。

6.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，

Cu、In、Ga及Se的组成范围以原子比设定为Cu:In:Ga:Se＝X:Y:1-Y:Z，其中0.8＜X＜1.05、0.5＜Y＜0.95、1.90＜Z＜2.5。

7.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1所述的溅射靶的方法，

制作包含下述粉末的混合粉末来作为原料粉末：NaF粉末、Na₂S粉末或Na₂Se粉末中的至少一种，Se粉末或由Cu与Se构成的Cu-Se合金粉末中的至少一种，In粉末或由Cu与In构成的Cu-In合金粉末，以及由Cu与Ga构成的Cu-Ga合金粉末或由Cu、In及Ga构成的Cu-In-Ga三元系合金粉末中的至少一种，并且将该混合粉末在真空或惰性气体气氛中通过热加压进行烧结。

8.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求4所述的溅射靶的方法，

将NaF粉末、Na₂S粉末、Na₂Se粉末中的至少一种与由Cu、Ga、In及Se构成的黄铜矿型四元合金粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中通过热加压进行烧结。