[发明专利]带涂层坩埚和制造带涂层坩埚的方法

权利要求书

1. 一种可重复使用的坩埚，所述坩埚用于在所述坩埚的内部容积的一部分内形成晶锭，所述坩埚包括：

形成所述内部容积的坩埚基材；

屏障涂层，所述屏障涂层设置于所述基材上，以使得所述坩埚基材通过设置于所述晶锭和所述坩埚基材之间的所述屏障涂层而与所述晶锭分隔开；以及，

所述屏障涂层具有与所述坩埚基材的表面相一致而与所述表面上的表面特征的形状无关的无针孔的适形且均匀的厚度，所述屏障涂层具有比所述晶锭的熔点更高的熔点。

2. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述表面包括设置在所述屏障涂层和所述坩埚基材之间的扩散屏障涂层，其中所述扩散屏障涂层防止在所述屏障涂层和所述坩埚基材之间的交互扩散。

3. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述屏障涂层具有为可选的n个单晶层厚度的厚度。

4. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述屏障涂层相对于所述晶锭是基本不溶解的。

5. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述屏障涂层具有足以防止所述晶锭和所述坩埚基材之间的交互反应的厚度。

6. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述屏障涂层具有小于500nm的厚度。

7. 根据权利要求1所述的坩埚，其中，在所述屏障涂层和所述坩埚基材之间不存在原生氧化物的情况下，在所述坩埚基材上提供所述屏障涂层。

8. 一种用于在坩埚的内部容积的一部分内形成蓝宝石晶锭的坩埚，所述坩埚包括：

形成所述内部容积的钼基材；

贵金属屏障涂层，所述贵金属屏障涂层设置于所述钼基材上，以使得所述钼基材通过设置于所述蓝宝石晶锭和所述钼基材之间的所述贵金属屏障涂层而与所述蓝宝石晶锭分隔开；以及

所述贵金属屏障涂层具有与所述坩埚基材的表面相一致的无针孔、非多孔性且均匀的适形厚度，所述贵金属屏障涂层具有比所述蓝宝石晶锭的熔点更高的熔点。

9. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，所述表面包括设置在所述贵金属屏障涂层和所述钼基材之间的扩散屏障涂层，其中所述扩散屏障涂层防止在所述贵金属屏障涂层和所述钼基材之间的交互扩散。

10. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，所述贵金属屏障涂层具有为可选的n个单晶层厚度的厚度。

11. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，所述贵金属屏障涂层相对于所述蓝宝石晶锭是基本不溶解的。

12. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，所述贵金属屏障涂层具有足以防止所述蓝宝石晶锭和所述钼基材之间的交互反应的厚度。

13. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，所述贵金属屏障涂层具有小于500nm的厚度。

14. 根据权利要求8所述的坩埚，其中，在所述贵金属屏障涂层和所述钼基材之间不存在原生氧化物的情况下，在所述钼基材上提供所述贵金属屏障涂层。

15. 一种形成坩埚的方法，所述坩埚用于在所述坩埚的内部容积的一部分内形成晶锭，所述方法包括：

提供坩埚基材；

清洁所述坩埚基材；以及

在所述坩埚基材的至少一部分上涂覆屏障涂层，所述屏障涂层具有与所述坩埚基材的表面相一致而与所述表面上的表面特征的形状无关的无针孔的适形且均匀的厚度，所述屏障涂层具有比所述晶锭的熔点更高的熔点。

16. 根据权利要求15所述的形成坩埚的方法，清洁所述坩埚基材包括：与所述涂覆原位地从所述坩埚基材去除原生氧化物，其中在所述屏障涂层和所述坩埚基材之间不存在所述原生氧化物的情况下，在所述坩埚基材上提供所述屏障涂层。

17. 根据权利要求15所述的形成坩埚的方法，其中，在涂覆时，所述坩埚基材形成真空腔的至少一部分。

18. 根据权利要求15所述的形成坩埚的方法，其中，所述涂覆包括使用原子层沉积的涂覆。

19. 根据权利要求15所述的形成坩埚的方法，其中，所述涂覆包括使用等离子体增强原子层沉积的涂覆。

20. 根据权利要求15所述的形成坩埚的方法，其中，所述涂覆包括使用碳气相沉积的涂覆。