[发明专利]并联电耦合的双端口谐振器无效

专利信息
申请号: 201280055450.X 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN103975526A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: C·左;C·尹;C·S·罗;S·朱;J·金 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03H9/56 分类号: H03H9/56;H03H9/58
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 周敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 并联 耦合 端口 谐振器
【权利要求书】:

1.一种谐振电路,包括:

以第一配置形成的第一压电谐振器;以及

以第二配置形成的第二压电谐振器,以使得所述第二压电谐振器耦合到所述第一压电谐振器,并且所述第一压电谐振器和第二压电谐振器的输出对于同一输入具有180度的相位差。

2.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的输入和输出端口的第一顶部;以及

所述第二配置包括耦合到交替的输入端口和地的第二顶部以及耦合到交替的输出端口和地的第二底部。

3.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,所述耦合包括将所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器并联电耦合。

4.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器的谐振频率由其各自的横向尺寸控制。

5.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,还包括与所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器并联耦合的、以所述第一配置和所述第二配置交替布置的、所述第一配置的一个或多个压电谐振器和所述第二配置的一个或多个压电谐振器。

6.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,其与一个或多个分开的谐振电路级联。

7.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,还包括电感器和/或电容器。

8.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器是由AlN、ZnO、铌酸锂(LiNbO3)和PZT之一形成的。

9.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,其集成在宽带滤波器中。

10.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,其集成在至少一个半导体管芯中。

11.如权利要求1所述的谐振电路,其特征在于,其集成到从包括以下各项的组中选择的设备中:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。

12.一种形成谐振电路的方法,包括:

形成第一配置的第一压电谐振器;以及

形成第二配置的第二压电谐振器,其中所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器的输出对于同一输入具有180度的相位差;以及

将所述第一压电谐振器耦合到所述第二压电谐振器。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的输入和输出端口的第一顶部;以及

所述第二配置包括耦合到交替的输入端口和地的第二顶部以及耦合到交替的输出端口和地的第二底部。

14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,耦合所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器包括将所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器并联电耦合。

15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,包括通过所述第一压电谐振器的第一横向尺寸控制所述第一压电谐振器的谐振频率,以及通过所述第二压电谐振器的第二横向尺寸控制所述第二压电谐振器的谐振频率。

16.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括与所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器并联地、以所述第一配置和所述第二配置交替布置地、耦合所述第一配置的一个或多个压电谐振器和所述第二配置的一个或多个压电谐振器。

17.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括将所述谐振电路与一个或多个分开的谐振电路级联。

18.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括将电感器和/或电容器电耦合到所述谐振电路。

19.如权利要求12所述的方法,其特征在于,包括由AlN、ZnO、铌酸锂(LiNbO3)和PZT之一形成所述压电谐振器。

20.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括将所述谐振电路集成在宽带滤波器中。

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