[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括：

在被加工材料上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序；

在所述抗蚀膜上形成规定的图案的图案形成工序；

将形成有所述图案的所述抗蚀膜在规定的改质用条件下暴露于等离子体，使所述抗蚀膜改质而提高蚀刻选择比的抗蚀剂改质工序；

将所述被加工材料在与所述改质用条件不同的蚀刻用条件下暴露于等离子体，以提高了蚀刻选择比的所述抗蚀膜为掩模，进行所述被加工材料的蚀刻的被加工材料的蚀刻工序；

所述被加工材料为形成于规定的被加工基板上的基板用掩模层，并且所述被加工基板为蓝宝石基板，以蚀刻的基板用掩模层为掩模，进行所述蓝宝石基板的蚀刻，在所述蓝宝石基板上形成1μｍ以下的周期的凹凸形状的基板的蚀刻工序，

在所述抗蚀剂改质工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加规定的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导，

在所述蚀刻工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加比所述改质用条件高的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在所述基板的蚀刻工序中，在所述蓝宝石基板上形成深度300nm以上的凹凸形状。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在所述基板的蚀刻工序中，在所述蓝宝石基板上形成深度500nm以上的凹凸形状。

4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在所述图案形成工序之后，包括通过等离子灰化而去除所述抗蚀膜的残膜的残膜除去工序。

5.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在所述图案形成工序中，在通过模型对所述抗蚀膜进行挤压之后，在保持挤压状态下使所述抗蚀膜固化，将所述模型的凹凸构造转印到所述抗蚀膜上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在所述基板的蚀刻工序中，在所述基板用掩模层上残留有所述抗蚀膜的状态下，进行所述蓝宝石基板的蚀刻。

7.如权利要求6所述的蚀刻方法，其中，

所述基板用掩模层具有所述蓝宝石基板上的SiO₂层和所述SiO₂层上的Ｎi层，

在所述基板的蚀刻工序中，在将所述SiO₂层、所述Ｎi层和所述抗蚀膜层叠的状态下，进行所述蓝宝石基板的蚀刻。

8.如权利要求6或7所述的蚀刻方法，其中，

在所述基板的蚀刻工序之后，包括使用规定的剥离液将残留于所述蓝宝石基板上的所述基板用掩模层除去的掩模层除去工序。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中，

在所述掩模层除去工序中，在通过O₂灰化预先除去所述抗蚀膜之后，使用规定的剥离液除去残留于所述蓝宝石基板上的所述基板用掩模层。

10.一种蚀刻方法，包括：

在被加工材料上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序；

在所述抗蚀膜上形成规定的图案的图案形成工序；

将形成有所述图案的所述抗蚀膜在规定的改质用条件下暴露于等离子体，使所述抗蚀膜改质而提高蚀刻选择比的抗蚀剂改质工序；

将所述被加工材料在与所述改质用条件不同的蚀刻用条件下暴露于等离子体，以提高了蚀刻选择比的所述抗蚀膜为掩模，进行所述被加工材料的蚀刻的被加工材料的蚀刻工序；

所述被加工材料为形成于规定的被加工基板上的基板用掩模层，并且所述被加工基板为蓝宝石基板，以蚀刻的基板用掩模层为掩模，进行所述蓝宝石基板的蚀刻，在所述蓝宝石基板上形成凹凸形状的基板的蚀刻工序，

在所述抗蚀剂改质工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加规定的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导，

在所述蚀刻工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加比所述改质用条件高的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导。