[发明专利]研磨垫及其制造方法

权利要求书

1.一种研磨垫，其用于研磨半导体装置，所述研磨垫具备研磨层，所述研磨层具有包含大致球状的气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体，所述研磨垫的特征在于：

所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60％～98％；

所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式时的损失弹性模数E″相对于储存弹性模数E′的比例(损失弹性模数/储存弹性模数)tanδ为0.15～0.30；

所述储存弹性模数E′为1MPa～100MPa；以及

所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm³～0.8g/cm³。

2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体通过最小平方法从自旋-自旋弛豫时间T2的长的成分起依序减去通过脉冲核磁共振而得的自由感应衰减信号(FID)，并进行波形分离，藉此从所述自旋-自旋弛豫时间T2的长的一方起依序分为L(非晶相)、M(界面相)、S(结晶相)这3成分的情况下，M成分的自旋-自旋弛豫时间T2_M为180μs～300μs。

3.根据权利要求2所述的研磨垫，其中所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的M成分的成分存在比C_M为60质量％～90质量％的范围。

4.根据权利要求2或3所述的研磨垫，其中由X＝T2_M/D(式中，T2_M表示M成分的自旋-自旋弛豫时间，D表示密度)求出的X值为210～580的范围。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的研磨垫，其中所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的平均气泡径为10μm～50μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的研磨垫，其中所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的A硬度为20度～70度。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的研磨垫，其中所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的厚度为0.5mm～1.5mm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的研磨垫，其特征在于：在与所述研磨层的研磨面为相反侧的面贴合比所述研磨层更硬的层。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的研磨垫，其中所述气泡包含微小中空球体的中空部。

10.一种研磨垫的制造方法，其用于制造如权利要求1-9中任一项所述的研磨垫，所述研磨垫的制造方法的特征在于包括：

准备步骤，至少准备含有聚胺基甲酸酯键的异氰酸酯化合物(A)、聚胺化合物(D)、以及微小中空球体(E)；

混合步骤，至少混合所述含有聚胺基甲酸酯键的异氰酸酯化合物(A)、所述聚胺化合物(D)、以及所述微小中空球体(E)，而获得成形体成形用混合液；

成形体成形步骤，由所述成形体成形用混合液将聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体成形；以及

研磨层形成步骤，由所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体形成研磨层，所述研磨层具有用以对被研磨物进行研磨加工的研磨表面。

11.根据权利要求10所述的研磨垫的制造方法，其进一步包括：使聚异氰酸酯化合物(B)与第一多元醇化合物(C-1)反应，而获得所述含有聚胺基甲酸酯键的异氰酸酯化合物(A)的步骤。

12.根据权利要求11所述的研磨垫的制造方法，其特征在于：进一步准备第二多元醇化合物(C-2)，且通过所述混合步骤与所述含有聚胺基甲酸酯键的异氰酸酯化合物(A)、所述聚胺化合物(D)、及所述微小中空球体(E)混合。

13.根据权利要求12所述的研磨垫的制造方法，其特征在于：在所述准备步骤中，以如下方式进行准备：所述聚胺化合物(D)的胺基的当量相对于所述聚胺化合物(D)的胺基与所述第二多元醇化合物(C-2)的羟基的当量的和(活性氢基的当量)之比(胺基/(胺基+羟基))为0.70～0.97。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的研磨垫的制造方法，其特征在于：所述聚胺化合物(D)是

亚甲基双-邻氯苯胺(MOCA)；或者

粗制亚甲基双-邻氯苯胺，所述亚甲基双-邻氯苯胺(MOCA)的单体与多聚物的混合物、且含有15质量％以上的所述多聚物。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的研磨垫的制造方法，其特征在于所述第二多元醇化合物(C-2)是数量平均分子量为500～5000的聚四亚甲基二醇或聚丙二醇或这些的混合物。