[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，是具备耐压保持用pn结和n型电场终止层的半导体装置的制造方法，所述耐压保持用pn结设置于n型半导体基板的一个主面侧，所述n型电场终止层设置于所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部，且电阻比所述n型半导体基板低，用于抑制耗尽层从所述耐压保持用pn结扩展，其特征在于，

包含质子照射工序，从所述n型半导体基板的另一个主面重复进行多次质子照射，在所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部形成所述n型电场终止层，

在所述质子照射工序中，以每重复进行一次所述质子照射对前一次的所述质子照射中残留的无序所导致的迁移率降低进行补偿的方式进行下一次的所述质子照射。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述质子照射工序中，使下一次的所述质子照射的照射深度比前一次的所述质子照射的照射深度浅。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述质子照射工序中，使第二次之后的所述质子照射基于通过其前一次的所述质子照射而形成的所述无序的位置重复进行所述质子照射。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述质子照射工序中，以通过第二次之后的所述质子照射形成的杂质浓度分布的峰来补偿通过第一次的所述质子照射形成的所述无序而导致的杂质浓度变低的部分的方式，调节所述质子照射的加速能量和剂量。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述质子照射工序中，将前一次的所述质子照射后因无序导致迁移率降得最低的深度作为下一次的所述质子照射的照射深度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述质子照射的加速能量E的常用对数值log(E)设定为y，将所述质子照射的从所述另一个主面起算的平均飞程Rp的常用对数值log(Rp)设定为x时，满足y＝-0.0047x⁴+0.0528x³-0.2211x²+0.9923x+5.0474。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置为二极管或者IGBT。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

耐压保持用pn结，设置于n型半导体基板的一个主面侧；和

n型电场终止层，设置于所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部，且电阻比所述n型半导体基板低，用于抑制耗尽层从所述耐压保持用pn结扩展，

所述n型电场终止层形成在所述n型半导体基板的深度方向的不同位置具有多个杂质浓度峰的杂质浓度分布，

多个所述杂质浓度峰中，最靠近所述n型半导体基板的一个主面侧的所述杂质浓度峰位于距离所述n型半导体基板的另一个主面有15μm以上的深度，

所述n型电场终止层的所述杂质浓度峰的位置与所述n型半导体基板的另一个主面之间的距离是与该杂质浓度峰在所述n型半导体基板的一个主面侧相邻的所述杂质浓度峰的位置与所述n型半导体基板的另一个主面的距离的一半以上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，多个所述杂质浓度峰中，最靠近所述n型半导体基板的另一个主面侧的所述杂质浓度峰位于距离所述n型半导体基板的另一个主面有6μm以上且15μm以下的深度。