[发明专利]抑制杂散模式的压电谐振器设计

权利要求书

1.一种压电谐振器，包括：

基板；

压电材料；

耦合到所述压电材料的第一电极；以及

耦合到所述压电材料的第二电极，

其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及

其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出基本上最大的偏转。

2.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器集成在半导体管芯中。

3.一种包括如权利要求1所述的压电谐振器的滤波器。

4.如权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。

5.设置在基板上的多个滤波器，每一滤波器包括如权利要求1所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不同通带。

6.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，还包括所述压电谐振器集成到其中的设备，所述设备选自包括接收机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元和计算机的组。

7.一种包括存储于其上的指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造压电谐振器的至少一部分，所述压电谐振器包括：

基板；

压电材料；

耦合到所述压电材料的第一电极；以及

耦合到所述压电材料的第二电极，

其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及

其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。

8.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述压电谐振器被制造在半导体管芯中。

9.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，进一步包括存储于其上的指令，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造包括如权利要求7所述的压电谐振器的滤波器的至少一部分。

10.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。

11.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，进一步包括存储于其上的指令，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造设置在基板上的多个滤波器的至少一部分，每一滤波器包括如权利要求7所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不同通带。

12.一种用于制造压电谐振器的方法，包括：

将压电材料设置在基板上；

将第一电极设置在所述基板上且与所述压电材料相接触；

将第二电极设置在所述基板上且与所述压电材料相接触，

其中所述压电谐振器具有通带；以及

将所述压电材料的周界的一部分锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。

14.一种压电谐振器，包括：

基板；

压电材料；

耦合到所述压电材料的第一电极；

耦合到所述压电材料的第二电极，

其中所述压电谐振器具有通带，以及

用于将所述压电材料的周界的一部分锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式的装置，其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。

15.如权利要求14所述的压电谐振器，其特征在于，所述谐振器集成在半导体管芯中。

16.一种包括如权利要求14所述的压电谐振器的滤波器。

17.如权利要求16所述的滤波器，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。

18.设置在基板上的多个滤波器，每一滤波器包括如权利要求14所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不同通带。