[发明专利]有机发光元件和有机发光元件的制造方法无效
申请号: | 201280056683.1 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103946999A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 山崎祐介;舛谷享祐 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张谟煜;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种有机发光元件,其特征在于,包含:
基板;
多个第1导电层,其在所述基板上隔着间隙而形成,相互电隔离;
包括多个区域的第2导电层,所述多个区域形成在所述第1导电层上和所述基板的设置了所述间隙的部分上、且相互隔离;
有机化合物层,其包含发光层,并且至少层叠于在所述第1导电层上形成的所述第2导电层的多个所述区域上;以及
第3导电层,其至少形成在所述有机化合物层上,
在所述第1导电层和所述第3导电层在俯视下重叠的发光区域的该第1导电层的各自之上,形成有所述第2导电层的至少2个所述区域,
所述第2导电层的所述区域的各自仅与所述第1导电层中的某一个接触、或者与每个该第1导电层都电隔离。
2.根据权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第2导电层的多个所述区域,是相同或不同形状的该区域、或者相同或不同面积的该区域规则排列而成。
3.根据权利要求1或者2所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第2导电层的所述区域,在与将所述第1导电层隔开的所述间隙对应的部分,具有比该间隙的最小宽度小的宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第2导电层的所述区域的最大宽度比电隔离所述第1导电层的所述间隙的最小宽度小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第2导电层是相同形状的多个所述区域在该第2导电层的面内规则排列而成的。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第2导电层的所述区域在与所述第1导电层和所述第3导电层在俯视下重叠的部分对应的该第1导电层的各自之上,至少形成有10个。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第1导电层中的至少1个是阳极,该阳极上的所述第2导电层是空穴注入层。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
所述第1导电层中的至少1个与所述第3导电层相接,或者该第1导电层上的所述第2导电层与该第3导电层相接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光元件,其特征在于,
在所述第1导电层与所述第2导电层之间的至少一部分,形成有设置有多个贯通部的电介质层,在该电介质层的该贯通部内该第2导电层与该第1导电层相接。
10.根据权利要求9所述的有机发光元件,其特征在于,
所述电介质层的所述贯通部,在所述第1导电层的任意的面内,具有最大宽度为10μm以下的圆形形状或者多边形形状。
11.根据权利要求9或者10所述的有机发光元件,其特征在于,
所述电介质层的所述贯通部,在所述第1导电层的任意的面内,在边长为1mm的正方形的范围内形成有102个~108个。
12.一种有机发光元件的制造方法,其特征在于,包含:
在基板上形成隔着间隙而相互电隔离的多个第1导电层的工序;
形成非图案化导电层的工序,所述非图案化导电层形成在所述第1导电层上和所述基板的与所述间隙对应的部分,且与该第1导电层不同;
对所述非图案化导电层进行图案形成,在所述第1导电层上和所述基板的设置了所述间隙的部分上,形成包括相互隔离的多个区域的第2导电层的工序;
在所述第1导电层中的至少1个的上方形成与所述第2导电层相接且包含发光层的有机化合物层的工序;以及
在所述有机化合物层上形成第3导电层的工序,
所述第2导电层,在所述第1导电层和所述第3导电层在俯视下重叠的发光区域的该第1导电层的各自之上形成有至少2个所述区域,并且各个该区域仅与该第1导电层中的某一个接触或者与每个该第1导电层都电隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择