[发明专利]无定形导电性氧化物膜的形成方法

权利要求书

1. 无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，进行以下工序：在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1-y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物，形成涂膜，在氧化性气氛下加热此涂膜，其中，

(A1) 选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，

(A2) 选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；

(B) 选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物，其中，上述金属化合物中的至少1种由金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐和亚硝酰基羧酸盐中选择，a为0.3~6.0的数，y为0以上且不足1的数；以及

(C) 含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。

2. 权利要求1的无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，在上述氧化性气氛下的加热工序之后进一步进行

减压下的第2加热工序，和

氧化性气氛下的第3加热工序。

3. 无定形导电性氧化物膜，其特征在于，通过权利要求1或2的无定形导电性氧化物膜的形成方法形成。

4. 权利要求3的无定形导电性氧化物膜，其中，组成以下列通式(1)所表示：

(Ln_yA_1-y)_aBO_xC_bH_c　　　(1)

在式(1)中，Ln为由除铈以外的镧系元素中选择的金属的1种以上离子，

A为由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的1种以上离子，

B为由钌、铱、铑和钴中选择的金属的1种以上离子，

a为0.3~6.0的数，

y为0以上且不足1的数，

x为Ln、A和B的价数总和的0.1~0.9倍的数，

b为0~(a+1)的数，而且

c为0~{2×(a+1)}的数。

5. 权利要求3的无定形导电性氧化物膜，其中，所述无定形导电性氧化物膜具有p型半导体特性。

6. 权利要求4的无定形导电性氧化物膜，其中，所述无定形导电性氧化物膜具有p型半导体特性。

7. 无定形导电性氧化物膜形成用组合物，其特征在于，含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1-y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)，其中，

(A1) 选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，

(A2) 选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；

(B) 选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物，其中，上述金属化合物中的至少1种由金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐和亚硝酰基羧酸盐中选择，a为0.3~6.0的数，y为0以上且不足1的数；以及

(C) 由选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上构成的溶剂。

8. 无定形导电性氧化物，其特征在于，以下列通式(1)所表示：

(Ln_yA_1-y)_aBO_xC_bH_c　　　(1)

在式(1)中，Ln为由除铈以外的镧系元素中选择的金属的1种以上离子，

A为由铅、镍、钯、铜和银中选择的金属的1种以上离子，

B为由钌、铱、铑和钴中选择的金属的1种以上离子，

a为0.3~6.0的数，

y为0以上且不足1的数，

x为Ln、A和B的价数总和的0.1~0.9倍的数，

b为大于0且a+1以下的数，而且

c为大于0且2×(a+1)以下的数。

9. 权利要求8的无定形导电性氧化物，其中，所述无定形导电性氧化物具有p型半导体特性。

10. 权利要求8或9的无定形导电性氧化物，其中，所述无定形导电性氧化物为在基板上形成的膜状。