[发明专利]有机EL元件

权利要求书

1.一种有机EL元件，其特征在于，

具备：

透明支撑基板；

配置于所述透明支撑基板上，且由在表面形成有第一凹凸的凹凸层所构成的衍射光栅；以及

以形成于所述衍射光栅的表面的第一凹凸的形状得以维持的方式，依次层叠于所述衍射光栅上的透明电极、至少具备发光层的有机层、以及金属电极，

满足下述条件(A)～(C)：

[条件(A)]在对使用原子力显微镜来分析所述第一凹凸的形状而得到的凹凸解析图像实施二维快速傅利叶变换处理而得到傅利叶变换图像的情况下，所述傅利叶变换图像显示以波数的绝对值为0μm^-1的原点作为大致中心的圆状或圆环状的模样，且所述圆状或圆环状的模样存在于波数的绝对值为10μm^-1以下的范围内的区域内，

[条件(B)]所述第一凹凸以及在所述金属电极的与有机层相对的面的表面所形成的第二凹凸均是基于使用原子力显微镜来分析凹凸的形状而得到的凹凸解析图像所求得的凹凸的深度分布的标准偏差为15～100nm的凹凸，

[条件(C)]所述第二凹凸的深度分布的标准偏差相对于所述第一凹凸的深度分布的标准偏差的变化率为+15％～-15％。

2.如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于，

所述衍射光栅配置在所述透明支撑基板的一个面侧，且

还具备配置在该透明支撑基板的另一个面侧的光学构件。

3.如权利要求2所述的有机EL元件，其特征在于，

所述光学构件由透镜构件所构成。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

在所述透明电极以及所述有机层中的厚度为10nm以上的各层的与所述金属电极相对的面的表面所形成的凹凸均是凹凸的深度分布的标准偏差为15～100nm的凹凸，且凹凸的深度分布的标准偏差相对于所述第一凹凸的深度分布的标准偏差的变化率为+15％～-15％。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

在所述透明电极以及所述有机层的各层的与所述金属电极相对的面的表面所形成的凹凸均是凹凸的深度分布的标准偏差为15～100nm的凹凸，且凹凸的深度分布的标准偏差相对于所述第一凹凸的深度分布的标准偏差的变化率为+15％～-15％。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

构成所述有机层的材料是玻璃化转变温度为70℃～300℃的有机材料。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述有机层还具备空穴输送层和电子输送层，且所述发光层是含有磷光材料和主体材料的层。

8.如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

所述发光层具有第一发光层和第二发光层的两层构造，且所述第一发光层与所述第二发光层的主体材料的种类分别不同。

9.如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

构成所述空穴输送层的材料与所述发光层的主体材料由相同材料所构成。

10.如权利要求8所述的有机EL元件，其特征在于，

构成所述空穴输送层的材料与所述第一发光层的主体材料由相同材料所构成，且构成所述电子输送层的材料与所述第二发光层的主体材料由相同材料所构成。

11.如权利要求7～10中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述发光层中的主体材料是玻璃化转变温度为100℃～300℃的有机材料。

12.如权利要求1～11中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第一凹凸的平均高度为20～400nm的范围。

13.如权利要求1～12中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第一凹凸的平均间距为100～1500nm的范围。

14.如权利要求1～13中的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述衍射光栅的凹凸层是无机层。