[发明专利]薄膜晶体管阵列装置以及使用它的EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及以多晶硅或微晶硅等为活性层的薄膜晶体管阵列装置以及使用该薄膜晶体管阵列装置的EL显示装置。 

背景技术

薄膜晶体管使用于有机EL显示器或液晶显示器等的显示装置的驱动基板，目前，正在盛行将其向高性能化开发。特别是，伴随着显示器的大型化和高清晰化，对薄膜晶体管的高电流驱动能力提出了要求，其中使用晶化后的半导体薄膜(多晶硅、微晶硅)作为活性层的薄膜晶体管受到瞩目。 

作为半导体薄膜的晶化工艺，正在开发采用600℃以下的処理温度的低温工艺以取代已经成熟的采用1000℃以上的処理温度的高温工艺技術。由于低温工艺中不需要使用耐热性优越的石英等的高价基板，从而可以实现降低制造成本。 

作为低温工艺的一个环节，使用激光束加热的激光退火受到关注。激光退火是对成膜于玻璃等低耐热性绝缘基板上的非晶硅或多晶硅等非单晶性的半导体薄膜照射激光束而使局部加热融化后，在其冷却过程中使半导体薄膜晶化的技术。以该晶化后的半导体薄膜作为活性层(沟道区域)来集成薄膜晶体管。晶化后的半导体薄膜由于载流子的迁移率变高，因此可以使薄膜晶体管实现高性能化。 

作为如上所述的薄膜晶体管的结构，以将栅电极配置在半导体层之下的底栅型的结构为主流，已知的如专利文献1、2所示的结构。 

在专利文献1中，在基板上形成与晶体管连接的布线(电极)，以覆盖该布线(电极)的状态通过旋转涂敷法形成由感光性聚酰亚胺构成的平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)。然后，在该平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)通过光刻法形成连接孔(接触孔)。之后，在平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)上形成介由该连接孔(接触孔)与布线(电极)连接的有机EL元件。 

另外，在专利文献2中，层叠在第2金属层(电极)上的绝缘保護膜及层叠在绝缘保護膜上的绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)设置有接触孔，该接触孔是使第2金属层(电极)与正电极(下部电极)电连接的连接触头贯通于上下方向的孔状的接触孔，并且接触孔是使绝缘保護膜的内周面与绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)的内周面没有阶梯式高低差地连接形成的向下方凸出的锥子形状。 

在先技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2001-28486号公报 

专利文献2：日本特开2009-229941号公报 

发明内容

本申请公开的EL显示装置具有：在一对电极之间配置有发光层的发光部、和控制所述发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。另外，在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极介由层间绝缘膜的接触孔与薄膜晶体管阵列装置电连接。进一步地，薄膜晶体管阵列装置具有介由层间绝缘膜的接触孔与发光部的电极电连接的电流供给用的电极，并且在发光部的一方的电极与薄膜晶体管阵列装置的电流供给用的电极的界面形成有扩散防止膜。 

另外，本申请公开的薄膜晶体管阵列装置在与发光部之间配置层间绝缘膜，并且具有介由层间绝缘膜的接触孔与发光部的一方的电极电连接的电流供给用的电极。另外，在发光部的一方的电极与电流供给用的电极的界面形成有扩散防止膜。 

发明效果 

根据该结构，可以实现电接触特性与相互扩散的防止性能的兼顾。 

附图说明

图1是表示一实施方式中的EL显示装置的立体图。 

图2是表示一实施方式中的EL显示装置的像素隔堤的例子的立体图。 

图3是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素电路的电路结构的电气电路图。 

图4是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素的结构的正视图。 

图5是沿图4中的5-5线切断的断面图。 

图6是沿图4中的6-6线切断的断面图。 

图7A是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。 

图7B是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。 

图7C是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。 

图7D是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。 

图7E是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。 

图7F是表示一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置的与图5对应的主要部的制造工序的断面图。