[发明专利]控制在由合成气制备乙醇中由污染性有机体导致的不希望的副产物形成的方法

权利要求书

1.基质代谢转化成轻质氧合物的方法，其包括在包含所述基质的发酵液中与能够将基质生物转化成轻质氧合物的微生物在发酵条件下接触，所述发酵液对污染细菌的存在敏感，所述污染细菌能够通过丁酰CoA酶由所述基质或所述轻质氧合物产生丁酸酯或丁醇中的至少一种，所述方法的特征在于在所述发酵液中提供足量的巴豆酸酯类化合物以限制较高级氧合物的产生，所述化合物由以下结构式表示：

I.R²(R³)C＝C(H)C(O)R¹

或

II.R²-A-C(O)R¹

其中：

R¹为-OH、-OR⁵或-N(R⁴)₂，其中R⁵为烃基，且各R⁴可相同或不同并且为氢或烃基；

R²为氢、-NH₂、-OH或-CX₃，其中各X可相同或不同且为氢或卤素；

R³为具有1-18个碳且可未被取代或被-OH、具有1至约6个碳的烷氧基或卤素取代的烃基；

A为具有5或6个环原子的芳族结构部分，所述环原子可以都是碳原子，或者可以为具有一个选自氧和氮的杂原子的杂环，所述芳族结构部分具有在2位上的–R²，其中–R²如上文所定义，且所述芳族结构部分可未被取代或者在更高碳位中的一个或多个上被如下取代基取代：(i)具有1-18个碳且可被-OH、具有1至约6个碳的烷氧基或卤素取代的烃基，(ii)-OR⁶，其中R⁶为低级烷基，(iii)–N(R⁷)₂，其中各R⁷为相同或不同的且为氢或烃基，或(iv)卤素；

条件是在结构式I中，R²和R³中的至少一个为卤代烷基或者被卤代烷基取代，且在式II中，芳基结构部分的至少2或3碳位被选自卤素和卤代烷基的吸电子基团取代。

2.限制气体基质的厌氧发酵中较高级氧合物的产生的方法，所述气体基质包含CO以及CO₂与氢气的混合物中的至少一种，所述方法包括：

a.使气体物流进入厌氧发酵区中，所述厌氧发酵区包含至少一种能够产生包含轻质氧合物的液体产物的厌氧微生物物种；

b.通过发酵区中的微生物与气体物流接触而将至少一部分气体物流转化成液体产物；

c.在发酵液中提供有效限制较高级氧合物产生的量的至少一种巴豆酸酯类化合物，所述巴豆酸酯类化合物由以下结构式表示：

I.R²(R³)C＝C(H)C(O)R¹

或

II.R²-A-C(O)R¹

其中：

R¹为-OH、-OR⁵或-N(R⁴)₂，其中R⁵为烃基，且各R⁴可相同或不同并且为氢或烃基；

R²为氢、-NH₂、-OH或-CX₃，其中各X可相同或不同且为氢或卤素；

R³为具有1-18个碳且可未被取代或被-OH、具有1至约6个碳的烷氧基或卤素取代的烃基；

A为具有5或6个环原子的芳族结构部分，所述环原子可以都是碳原子，或者可以为具有一个选自氧和氮的杂原子的杂环，所述芳族结构部分具有在2位上的–R²，其中–R²如上文所定义，且所述芳族结构部分可未被取代或者在更高碳位中的一个或多个上被如下取代基取代：(i)具有1-18个碳且可被-OH、具有1至约6个碳的烷氧基或卤素取代的烃基，(ii)-OR⁶，其中R⁶为低级烷基，(iii)–N(R⁷)₂，其中各R⁷为相同或不同的且为氢或烃基，或(iv)卤素；

条件是在结构式I中，R²和R³中的至少一个为卤代烷基或者被卤代烷基取代，且在式II中，芳基结构部分的至少2或3碳位被选自卤素和卤代烷基的吸电子基团取代；

d.将包含液体产物的发酵液从发酵区中取出；和

e.从发酵液中回收液体产物。