[发明专利]线框触控传感器计及空间线性化触控传感器设计无效
申请号: | 201280056962.8 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103946779A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 乔蒂因德拉·拉杰·沙基亚;拉塞尔·阿林·马丁 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线框触控 传感器 空间 线性化 设计 | ||
优先权主张
本申请案主张2012年5月3日申请且标题为“线框触控传感器计及空间线性化触控传感器设计(WIREFRAME TOUCH SENSOR DESIGN AND SPATIALLY LINEARIZED TOUCH SENSOR DESIGN)”的第13/463,602号美国专利申请案(代理档案号QUALP111/113185)的优先权,所述美国专利申请案主张2011年11月22日申请且标题为“线框触控传感器计及空间线性化触控传感器设计(WIREFRAME TOUCH SENSOR DESIGN AND SPATIALLY LINEARIZED TOUCH SENSOR DESIGN)”的第61/562,671号美国临时专利申请案(代理档案号QUALP111P/113185P1)的权益,所述两个专利申请案的全文以引用方式并入本文中以用于全部目的。
技术领域
本发明涉及显示装置,其包含(但不限于)并入触控屏幕的显示装置。
背景技术
机电系统(EMS)包含具有以下每一者的装置:电及机械元件、致动器、变换器、传感器、光学组件(例如镜子)及电子器件。可制造各种尺度(其包含(但不限于)微尺度及纳米尺度)的机电系统。例如,微机电系统(MEMS)装置可包含具有在约1微米到数百微米或更大的范围内的尺寸的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于1微米的尺寸(其例如包含小于数百纳米的尺寸)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或其它微机械加工工艺(其蚀除衬底及/或经沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置)来产生机电元件。
一种类型的EMS装置被称为干涉式调制器(IMOD)。如本文中所使用,术语“干涉式调制器”或“干涉式光调制器”是指使用光学干涉原理来选择性吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉式调制器可包含一对导电板,其中一者或两者可完全或部分透明及/或反射且能够在施加适当电信号之后相对运动。在实施方案中,一板可包含沉积于衬底上的稳定层且另一板可包含与所述稳定层间隔达一气隙的反射膜。一板相对于另一板的位置可改变入射到干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛应用,且预期用于改进既有产品及产生新产品,尤其是具有显示能力的产品。
当前,经制造以覆盖在显示装置上的触控传感器一般具有由氧化铟锡(ITO)制成的传感器电极,这是因为ITO实质上透明。虽然透明性为非常合意属性,但ITO具有非最佳的其它性质。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面,所述创新方面的单一者不单独负责本文中所揭示的所要属性。
本发明中所描述标的物的一个创新方面可实施为包含触控传感器的设备。所述触控传感器可包含细导线作为传感器电极。所述导线的部分或全部可为金属线。传感器电极可不易被人类观察者看见。在一些此类实施方案中,传感器电极可布局成一模式及/或经分组以产生空间梯度。一些此类实施方案涉及传感器电极的空间交织、空间插入及/或长度调制。此类实施方案可产生空间梯度,使得需要相对较少的行及列来提供具有给定精度的触控传感器面板。
本发明中所描述标的物的另一创新方面可实施为包含触控传感器装置的设备。所述触控传感器装置可包含实质上形成于一平面中的多个行电极。所述多个行电极中的每一行电极可具有从所述行电极侧向延伸的多个行分支。所述行分支可与相邻行电极的相邻行分支空间交织。
所述设备还可包含实质上形成于平面中的多个列电极。所述多个列电极的第一群组可结合在一起且与所述多个列电极的第二群组空间插入。所述列电极中的至少一些可包含从第一列电极侧向延伸且介于相邻行分支之间的列分支。
列分支可将第一列电极连接到第二列电极。多个第一行分支可具有第一长度且多个第二行分支可具有第二长度。在一些实施方案中,第一及第二群组的列电极可分组成1-2-1模式、2-4-2模式、1-2-3-2-1模式或1-2-3-4-3-2-1模式。
在一些实施方案中,多个行电极及/或多个列电极可至少部分由金属线形成。然而,在一些实施方案中,多个行电极及/或多个列电极可至少部分由氧化铟锡形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通MEMS科技公司,未经高通MEMS科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280056962.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。