[发明专利]气体阻隔膜及电子设备

权利要求书

1.一种气体阻隔膜，其在基体材料上具有对含有聚硅氮烷的层实施了真空紫外线照射而得到的气体阻隔层，其中，

所述气体阻隔层在相对于该气体阻隔层整体为1质量％以上且40质量％以下的范围含有满足全部下述(a)、(b)、(c)的化合物A，

(a)具有Si-O键，且具有与Si直接键合的有机基团，

(b)具有Si-H基或Si-OH基，

(c)分子量为90以上且1200以下。

2.如权利要求1所述的气体阻隔膜，其中，所述化合物A具有下述通式(1)的结构，

[化学式1]

式中，R表示有机基团，X表示H或OH。

3.如权利要求1或2所述的气体阻隔膜，其中，所述化合物A具有由Si-O-Si键构成的环状结构或笼状结构。

4.如权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔膜，其中，所述有机基团中所含的碳原子数为6以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的气体阻隔膜，其中，所述有机基团为甲基、乙基、苯基中的任一者。

6.如权利要求1～5中任一项所述的气体阻隔膜，其中，所述基体材料的表面粗糙度Rz为200nm以上且500nm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的气体阻隔膜，其中，在所述基体材料和所述气体阻隔层之间至少具有一层中间层，与所述气体阻隔层相接的所述中间层的表面粗糙度Rz为200nm以上且500nm以下。

8.如权利要求1～7中任一项所述的气体阻隔膜，其中，气体阻隔层具有至少250nm的膜厚。

9.一种电子设备，其具有权利要求1～8中任一项所述的气体阻隔膜和由所述气体阻隔膜密封的电子器件。