[发明专利]多级升压D类放大器

权利要求书

1.一种多级D类放大器，包括：

混合H桥电路，具有一对输出端子，包括：

第一对晶体管，每个将所述输出端子中的一个连接到第一供电电压，所述第一供电电压当被激活时，沿第一电压方向拉所述相应的输出端子，

第二对晶体管，每个将所述输出端子中的一个连接到不同于所述第一供电电压的第二供电电压，所述第二供电电压当被激活时，沿所述第一电压方向拉所述相应的输出端子，

第三对晶体管，每个将所述输出端子中的一个连接到不同于所述第一和第二供电电压的第三供电电压，所述第三供电电压当被激活时，沿不同于所述第一电压方向的第二电压方向拉所述相应的输出端子，

量化器，用以将输入信号与多个阈值电压相比较，以及

控制器，耦接到所述量化器，以产生脉冲密度调制(PDM)控制信号到所述H桥电路，在所述PDM信号的至少一个工作阶段期间，所述控制信号激活第一输出端子的所述第一晶体管和第二晶体管中的一个以导电并且激活第二输出端子的第三晶体管以导电。

2.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一电压方向是向上拉方向，并且所述第二电压方向是向下拉方向。

3.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一电压方向是向下拉方向，并且所述第二电压方向是向上拉方向。

4.根据权利要求1所述的放大器，其中：

所述第一供电电压以相对于所述第二供电电压的大小升压，并且至少两个阈值电压与所述第二供电电压相关。

5.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一和第二对晶体管为PMOS晶体管，并且所述第三对晶体管为NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一和第二对晶体管为NMOS晶体管，并且所述第三对晶体管为NMOS晶体管。

7.一种多级升压D类放大器，包括：

升压转换器，具有用于第一供电电势的输入和用于第二供电电势的输出；

接收输入信号的滤波器；

量化器，具有耦接到所述第一供电电势的输入和耦接到所述滤波器的输出信号的输入；

控制器，具有耦接到所述第一供电电势的输入、耦接到所述量化器的输出信号的输入、和耦接到所述滤波器的所述输出信号的输入；

多级H桥，包括上半晶体管开关对和一对下半晶体管开关，所述上半晶体管开关对中的第一对接收所述第一供电电势，所述上半晶体管开关对中的第二对接收所述第二供电电势，所述一对下半晶体管开关接收第三供电电势，所述上下半晶体管开关对的第一晶体管每个耦接到第一输出节点，所述上下半晶体管开关对的第二晶体管每个耦接到第二输出节点；并且

其中，所述晶体管开关中的每个具有耦接到所述控制器的输出信号的控制输入。

8.根据权利要求7所述的放大器，还包括：

加法器，具有用于所述输入信号的输入和用于耦接到所述多级H桥第一和第二输出节点的一对反馈信号的输入；以及

从所述加法器接收输出信号的所述滤波器。

9.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述第二供电电势大于所述第一供电电势。

10.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述量化器还包括多个比较器。

11.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述控制器根据脉冲密度调制来控制所述晶体管开关的所述切换。

12.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述控制器根据脉冲宽度调制来控制所述晶体管开关的所述切换。

13.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述上半晶体管开关对为PMOS晶体管开关，所述第一对PMOS晶体管开关为耦接到所述第一供电电势的源极，所述第二对PMOS晶体管开关为耦接到所述第二供电电势的源极，并且所述下半晶体管开关为为耦接到所述第三供电电势的源极的NMOS晶体管开关；

其中，所述上半晶体管开关对中的每个的所述第一PMOS晶体管开关和所述下半晶体管开关对的所述第一NMOS晶体管开关为耦接到所述第一输出节点的漏极；并且

其中，所述上半晶体管开关对中的每个的所述第二PMOS晶体管开关和所述下半晶体管开关对的所述第二NMOS晶体管开关每个为耦接到所述第二输出节点的漏极。