[发明专利]用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供具有中性形式和氧化形式的至少一种第一化合物，其中所述第一化合物的分子量小于1,000g/摩尔；

提供包含阳离子和阴离子的至少一种离子掺杂剂，

在第一溶剂体系中将中性形式的所述至少一种第一化合物与包含至少一种阳离子和至少一种阴离子的至少一种离子掺杂剂组合，以提供第一掺杂反应产物，其中所述组合产生所述阳离子的中性形式，且其中所述第一掺杂反应产物包含所述第一化合物的氧化形式和所述阴离子；

分离固体形式的所述第一掺杂反应产物，其包括从所述第一掺杂反应产物中除去所述阳离子的所述中性形式；

提供至少一种具有中性形式和氧化形式的共轭聚合物；

在第二溶剂体系中将分离的第一掺杂反应产物与所述至少一种共轭聚合物的中性形式组合，以形成包含所述共轭聚合物的氧化形式和所述阴离子的第二掺杂反应产物；其中掺杂产生所述第一化合物的中性形式。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物是空穴传输化合物或非-空穴传输化合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物是空穴传输化合物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物是芳基胺化合物。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物是DMFL-TPD或AMB。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物的空穴迁移率为至少约0.001cm²/Vs。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物的分子量低于750g/摩尔。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物的功函数为至少-4.7eV。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物的功函数高于所述共轭聚合物的功函数。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述离子掺杂剂的阳离子为V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au的氧化形式；且所述离子掺杂剂的阴离子由下列结构中的至少一个表示：

其中，R₁至R₁₀的每一个独立地是H、烷基、全氟烷基(C1-C10)、聚醚、F、Cl、Br、I、CN、任选取代的苯基或任选取代的萘基；“A”为硼、镓、磷、锑、SO₃或CO₂；X为F、Cl、Br、I或CN；n为0至6；且m为≤6-n。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述离子化合物的阳离子为V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au；所述离子化合物的阴离子由以下结构中的至少一个表示：

其中R₁至R₉的每一个独立地是H、烷基、全氟烷基(C1-C10)、聚醚、F、Cl、Br、I、CN、任选取代的苯基或任选取代的萘基；“A”为硼、镓、磷、锑；且n为1至6。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述离子掺杂剂的阳离子为V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au的氧化形式；且所述离子掺杂剂的阴离子由下列结构中的至少一个表示：双(三氟甲烷)磺酰胺，全氟丁烷磺酸盐，全氟辛烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐，4,4,5,5,6,6-六氟-1,3,2-二氢二噻嗪1,1,3,3-四氧化物、六氟磷酸盐、四氟硼酸盐。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述阳离子是银。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述阴离子是芳基硼酸盐阴离子。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述阳离子是银，且所述阴离子是芳基硼酸盐阴离子。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述离子掺杂剂是四(五氟苯基)硼酸银、四(2-(1,3,4,5,6,7)-六氟)萘基)硼酸银，或其组合。