[发明专利]制造封装装置的方法

权利要求书

1.布置成与另一零件(4、2)配合以形成用于部件(5)的封装装置(3)的元件(2、4、44、64)，包括至少部分地涂覆有金属化部分(11、9、49、69)的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述金属化部分包括由金属间化合物(19、59、79)保护的至少一个金属层(15、16、55、64)，所述金属间化合物由熔点低于250℃的材料的未扩散部分(12’、52’、72’)所涂覆。

2.根据前述权利要求所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件为意在封闭所述封装装置(3)的盖(4、44、64)。

3.根据权利要求1所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件为意在形成所述封装装置(3)的腔(10)的主要部分(2)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件(2、4、44、64)由陶瓷或金属形成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所属至少一个金属层(15、16、55、75)包括镍和/或铜和/或金。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述至少一个金属层由所述元件(64)的体部形成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述至少一个金属层(15、16)还包括用于与所述元件(2、4)的体部粘合的粘合层(13、14)。

8.根据权利要求7所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述粘合层(13、14)包括钼和/或钨和/或钛和/或铬。

9.根据前述权利要求中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述金属间化合物(19、59、79)包括金。

10.根据前述权利要求之一所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，熔点低于250℃的所述材料为铟。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，熔点低于250℃的所述材料为锡。

12.制造元件(2、4、44、64)的方法(24、26)，所述元件布置成与另一零件(4、2)配合以形成用于部件(5)的封装装置(3)，所述方法包括以下步骤：

a)形成所述元件(2、4、44、64)；

b)沉积金属化部分(9、11、49、69)，该金属化部分包括由涂层(17、18、57、75)保护的至少一个金属层(15、16、55)；

其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

c)在所述涂层(17、18、57、75)上沉积熔点低于250℃的材料的层(12、52、72)；

d)使该熔点低于250℃的材料部分地扩散到所述涂层(17、18、57、75)中，以便完全地将所述涂层(17、18、57、75)转变成金属间化合物并且留下该熔点低于250℃的材料的未扩散部分(12’、52’、72’)。

13.根据权利要求12所述的方法(24、26)，其特征在于，所述元件(2、4、44、64)由陶瓷或金属形成。

14.根据权利要求12或13所述的方法(24、26)，其特征在于，所述至少一个金属层(15、16、55)包括镍和/或铜和/或金。

15.根据权利要求12或13所述的方法(24、26)，其特征在于，所述至少一个金属层由所述元件(64)的体部形成。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法(24、26)，其特征在于，所述方法包括在步骤a)和步骤b)之间的一步骤，该步骤包括沉积用于所述至少一个金属层(15、16)的粘合层(13、14、33、34)。

17.根据权利要求16所述的方法(24、26)，其特征在于，所述粘合层(13、14)包括钼和/或钨和/或钛和/或铬。

18.根据权利要求12至16中任一项所述的方法(24、26)，其特征在于，所述涂层(17、18、57、75)包括金。