[发明专利]电子发射冷阴极器件

权利要求书

1.一种电子发射冷阴极器件(11,21)，包括阴电极(14)，所述阴电极(14)位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括阴极指状结构(14a)，所述阴极指状结构(14a)包括一个或多个阴极直指状端子(14b)，每个所述阴极直指状端子(14b)具有平行于第一参考方向(z)的相应主延伸方向；

所述器件(11,21)进一步包括针对每个阴极直指状端子(14b)的一个或多个相应电子发射器(14c)，所述电子发射器(14c)形成在所述阴极直指状端子(14b)上并且与所述阴极直指状端子(14b)欧姆接触；其中，每个电子发射器(14c)具有垂直于所述阴极平面的相应主延伸方向；

所述器件(11,21)进一步包括栅电极(15)，所述栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并且与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，所述栅电极(15)不与所述阴电极(14)重叠并且在所述有源区(11a)中包括栅极指状结构(15a)，所述栅极指状结构(15a)包括两个或更多个栅极直指状端子(15b)，每个所述栅极直指状端子(15b)具有平行于所述第一参考方向(z)的相应主延伸方向；其中，所述栅极直指状端子(15b)与所述阴极直指状端子(14b)交错并且被设计为在使用中调制由所述电子发射器(14c)发射的电子束。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阴电极(14)进一步包括阴极导线(14e)，所述阴极导线(14e)连接至所述阴极指状结构(14a)、具有主延伸方向平行于所述第一参考方向(z)的直带状形状并且相对于所述阴极的平行于所述第一参考方向(z)的对称轴线是对称的；

其中，所述阴极指状结构(14a)相对于所述阴极的所述对称轴线是对称的；

其中，所述栅电极(15)进一步包括栅极导线(15d)，所述栅极导线(15d)连接至所述栅极指状结构(15a)、具有主延伸方向平行于所述第一参考方向(z)的直带状形状并且相对于所述栅极的平行于所述第一参考方向(z)的对称轴线是对称的；

并且其中，所述栅极指状结构(15a)相对于所述栅极的所述对称轴线是对称的。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述阴电极(14)进一步包括阴极主干线(14d)，所述阴极主干线(14d)：

·具有主延伸方向平行于第二参考方向(x)的直带状形状，所述第二参考方向(x)与所述第一参考方向(z)正交；

·相对于所述阴极的所述对称轴线是对称的；并且

·被插入在所述阴极指状结构(14a)与所述阴极导线(14e)之间，从而将所述阴极导线(14e)连接至所述阴极指状结构(14a)；

并且其中，所述栅电极(15)进一步包括栅极主干线(15c)，所述栅极主干线(15c)：

·具有主延伸方向平行于所述第二参考方向(x)的直带状形状；

·相对于所述栅极的所述对称轴线是对称的；并且

·被插入在所述栅极指状结构(15a)与所述栅极导线(15d)之间，从而将所述栅极导线(15d)连接至所述栅极指状结构(15a)。

4.根据权利要求3所述的器件，其中：

·所述阴极指状结构(14a)从所述阴极主干线(14d)横向延伸；

·所述阴极导线(14e)在相对于所述阴极指状结构(14a)所延伸的一侧相反的一侧上从所述阴极主干线(14d)横向延伸；

·所述栅极指状结构(15a)从所述栅极主干线(15c)横向延伸；并且

·所述栅极导线(15d)在相对于所述栅极指状结构(15a)所延伸的一侧相反的一侧上从所述栅极主干线(15c)横向延伸。

5.根据权利要求2所述的器件，其中：

·所述阴极指状结构(14a)直接从所述阴极导线延伸，从而直接连接至所述阴极导线；并且

·所述栅极指状结构(15a)直接从所述栅极导线延伸，从而直接连接至所述栅极导线。

6.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，对于每个阴极直指状端子(14b)，所述相应电子发射器(14c)相对于所述阴极直指状端子(14b)位于中间。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，每个阴极直指状端子(14b)包含在两个栅极直指状端子(15b)之间；并且其中，对于每个阴极直指状端子(14b)，所述相应电子发射器(14c)相对于两个相邻的所述栅极直指状端子(15b)也位于中间。