[发明专利]在高频范围内作为电介质的微晶玻璃

权利要求书

1.一种电介质，其包含微晶玻璃，所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩尔％计的以下成分：

其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti任选部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

2.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩尔％计的以下成分：

其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti任选部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

3.根据权利要求2所述的电介质，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩尔％计的以下成分：

其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti任选部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

4.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩尔％计的以下成分：

其中RE为镧或另外的镧系元素，且其中Ti任选部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

5.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩尔％计的以下成分：

其中RE为镧或另外的镧系元素，且其中Ti任选部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

6.根据权利要求1所述的电介质，其中所述RE₂O₃含量为0.5至4.5摩尔％。

7.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含至少0.005摩尔％的熔化添加剂。

8.根据权利要求7所述的电介质，其中所述熔化添加剂为由玻璃形成组分构成的共晶体的低熔点添加剂。

9.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含0.01至最高达3摩尔％的至少一种选自As₂O₃和Sb₂O₃的澄清剂。

10.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃在频率f>200MHz的高频范围内，包含不超过10^-2的介电损耗。

11.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃具有至少15的相对电容率ε。

12.根据权利要求1所述的电介质，其中共振频率的温度依赖度的绝对值|τ_f|不超过200ppm/K。

13.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含至少一种基于Ba、Ti、O的固溶相，其中Ba任选至少部分地由Sr、Ca、Mg代替，其中RE为镧系元素或钇，且其中Ti任选至少部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

14.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含至少一种基于Ba、Ti、Al、O的固溶相，其中Ba任选至少部分地由Sr、Ca、Mg代替，其中RE为镧系元素或钇，且其中Ti任选至少部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

15.根据权利要求1所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含至少一种选自(BaO)_x(RE₂O₃)_y(SiO₂)_z(TiO₂)_u的固溶相，其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，其中最高达10％的Ba任选由Sr、Ca、Mg代替，且其中最高达限定部分的10％的Ti任选由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

16.根据权利要求1至15中的任一项所述的电介质，其中所述微晶玻璃包含BaTi₄O₉作为主要固溶相，其中Ba任选部分地由La、Ca或Sr代替，且其中Ti任选部分地由Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。