[发明专利]注射流体加温器有效
申请号: | 201280058074.X | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN104010682B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 乌尔里克·克罗·安德森 | 申请(专利权)人: | 美酷有限公司 |
主分类号: | A61M5/44 | 分类号: | A61M5/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 董敏;田军锋 |
地址: | 丹麦赫*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 注射 流体 加温 | ||
1.一种注射流体加温器(400),包括:
-外壳,所述外壳具有上壁结构和相对的下壁结构;所述外壳包封有:
-流体通道或通路,所述流体通道或通路在所述上壁结构与所述下壁结构之间延伸通过所述外壳,
-流体入口端口和流体出口端口,所述流体入口端口和所述流体出口端口联接至所述流体通道或通路(403)的相对的端部以允许注射流体流通过所述外壳,
-壳体(404),所述壳体以热传导电绝缘材料形成并且包括板状上壁结构(407)和独立的相对的板状下壁结构(405),
-第一加热元件(406a、406b)和第二加热元件(406c、406d),所述第一加热元件连结至所述板状上壁结构并且热联接至所述板状上壁结构,所述第二加热元件连结至相对的所述板状下壁结构(405)并且热联接至所述板状下壁结构(405);以及
铝热交换器(409),所述铝热交换器(409)夹置在所述板状上壁结构(407)与相对的所述板状下壁结构(405)之间并且热联接至所述板状上壁结构(407)与所述板状下壁结构(405),
其中,所述流体通道或通路(403)包括具有矩形截面轮廓的直的通道,所述直的通道沿着所述壳体的纵向轴线延伸通过所述铝热交换器(409)并且延伸通过所述壳体的基本宽度部分,使得热能通过与热交换器材料的直接物理接触传递至注射流体。
2.根据权利要求1所述的注射流体加温器(400),其中,所述第一加热元件连结至所述板状上壁结构的背向所述流体通道或通路(403)的直的通道的表面和/或所述第二加热元件连结至所述板状下壁结构的背向所述流体通道或通路(403)的直的通道的表面。
3.根据权利要求1所述的注射流体加温器(400),其中,所述流体通道或通路(403)的直的通道的高度在0.5mm与2cm之间。
4.根据权利要求1所述的注射流体加温器(400),其中,所述壳体(404)包括陶瓷材料。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的注射流体加温器(400),包括:
-温度传感器,所述温度传感器用于确定在所述流体通道或通路(403)中的注射流体的温度,
-控制器回路,所述控制器回路操作性地联接至所述温度传感器并且联接至所述第一加热元件和所述第二加热元件以控制所述第一加热元件和所述第二加热元件的瞬时电力消耗,
-其中,所述控制器回路适于基于来自所述温度传感器的温度数据根据所述注射流体的期望温度或目标温度来调节所述第一加热元件和所述第二加热元件中的电力消耗。
6.根据权利要求5所述的注射流体加温器(400),其中,所述控制器回路连结至所述板状上壁结构的背向所述流体通道或通路的表面或所述板状下壁结构的背向所述流体通道或通路(403)的表面。
7.根据权利要求6所述的注射流体加温器(400),其中,所述控制器回路包括一个或更多个半导体晶体管,所述一个或更多个半导体晶体管将调制的驱动信号传送至所述第一加热元件和所述第二加热元件以调节所述第一加热元件和所述第二加热元件中的所述瞬时电力消耗。
8.根据权利要求6所述的注射流体加温器(400),其中,所述温度传感器包括厚膜电阻器或薄膜电阻器。
9.根据权利要求7所述的注射流体加温器(400),其中,所述半导体晶体管为半导体二极管。
10.根据权利要求4所述的注射流体加温器(400),其中,所述陶瓷材料包括氧化铝、硝酸铝或氧化铍。
11.根据权利要求5所述的注射流体加温器(400),其中,所述温度传感器用于确定所述流体通道或通路(403)中的所述流体出口端口处的注射流体的温度。
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