[发明专利]用于表面等离子体共振分析的微结构化芯片，包含所述微结构化芯片的分析装置和所述装置的使用

权利要求书

1.一种用于表面等离子体共振(SPR)分析的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，所述微结构化芯片包括：

由一个基底(5；77)、一个上部面(4；44)和至少一个侧面(55；66)组成的一个实心体；

一个金属层(2；22；42；52；62)，其覆盖该上部面的至少一个部分；以及

设置在所述上部面(4；44)中的至少第一区和第二区，所述第一区和所述第二区中的每个具备意在接收有待分析的物质的具有微测尺寸的弯曲表面，所述第一区和所述第二区具备以下项中的至少两个：范围从1μm到1000μm的i)长度尺寸、ii)宽度尺寸和iii)高度尺寸，

所述至少第一区和第二区具有由空腔和突起(1；11；41；51；61)组成的组中的至少一个的形式，

所述第一区和第二区彼此邻近并且通过邻近平面表面彼此分隔，以及

所述第一区基于由下述项组成的组中的至少一个而不同于所述第二区：

i)所述第一区具有所述空腔的形式，且所述第二区具有所述突起的形式，

ii)所述第一区具有与所述第二区的对应的曲率半径(“R”)不同的曲率半径(“R”)，

iii)所述第一区具有与所述第二区的对应的定向不同的定向，使得所述第一区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β1’)不同于所述第二区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β2’)，以及

iv)所述第一区具有在所述芯片的区间表面与所述基底之间的距离，该距离不同于所述第二区的在所述芯片的所述区间表面与所述基底之间的对应的距离，其中，

所述至少第一区和第二区(1；11；41；51；61)中的每个是所述突起的形式，所述突起相对于所述邻近平面表面具有凸的弯曲表面，所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)在0.1mm到600mm之间，

所述第一区的所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)与所述第二区的所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)相同，以及

所述第一区基于由下述项组成的组中的至少一个而不同于所述第二区：

i)所述第一区具有与所述第二区的对应的定向不同的定向，使得所述第一区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β1’)不同于所述第二区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β2’)，以及

ii)所述第一区具有在所述芯片的区间表面与所述基底之间的距离，该距离不同于所述第二区的在所述芯片的所述区间表面与所述基底之间的对应的距离。

2.如权利要求1所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，所述至少第一区和第二区被覆盖着该金属层。

3.如权利要求1所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，该基底(5；77)是一个平面表面。

4.如权利要求2所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，该基底(5；77)是一个平面表面。

5.如权利要求1到4之一所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，该上部面(4；44)平行于该基底(5；77)。

6.如权利要求1到4之一所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，至少一个侧面(55；66)是平面的。

7.如权利要求5所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，至少一个侧面(55；66)是平面的。

8.如权利要求6所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，至少一个侧面(55；66)垂直于该基底(5；77)和/或该上部面(4；44)。

9.如权利要求7所述的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，至少一个侧面(55；66)垂直于该基底(5；77)和/或该上部面(4；44)。