[发明专利]UV固化的优化无效
申请号: | 201280058245.9 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103959435A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 艾德·S·拉马克里斯南 | 申请(专利权)人: | 尤尼皮克塞尔显示器有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/324 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 戚传江;穆德骏 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | uv 固化 优化 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年10月25日提交的美国临时专利申请No.61/551,161(律师档案No.2911-02800)的优先权,其在此通过引用纳入本文。
背景技术
柔性版印刷术可以用于印刷包括玻璃、纸和聚合物的各种基板。柔性版印刷过程可以独立使用或作为例如卷到卷处理过程的排列式(in-line)过程的一部分。在柔性版印刷过程期间使用的图案化柔印坯件可以被设计成用于长期使用、专用用途或一次性的短期使用。
发明内容
在实施例中,使柔印坯件图案化的方法包括:将掩模设置在柔印坯件的第二表面上,其中柔印坯件包括第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中第一表面包括背衬;并且固化第一表面,其中固化第一表面在第一表面上形成底层,并且其中固化包括发射具有在250nm-600nm之间的多个波长和从0.3J/cm2到1.0J/cm2的固化剂量的紫外(UV)辐射。实施例还包括固化第二表面以在第二表面上形成图案,其中固化第二表面包括在5J/cm2到25J/cm2之间的剂量的UV光;其中形成图案包括形成多条线,其中多条线中的每条的横截面是正方形、矩形、三角形和梯形中的一种,其中多个凹谷形成在多条线中的每组线之间,并且其中凹谷的深度在5-20微米之间。
在替代实施例中,使柔印坯件图案化的方法包括:将掩模设置在柔印坯件的第二表面上,其中柔印坯件包括第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中第一表面包括背衬;并且固化第一表面,其中固化第一表面在第一表面上形成底层,并且其中固化包括发射具有在250nm-600nm之间的多个波长和从0.3J/cm2到1.0J/cm2的固化剂量的紫外(UV)辐射。实施例还包括固化第二表面以在第二表面上形成图案,固化第二表面包括在5J/cm2到25J/cm2之间的剂量的UV光;其中图案包括多条线,并且其中多条线的侧壁角在20°-70°之间。
在替代实施例中,形成高分辨率导电图案的方法包括:使包括第一和第二表面的柔印坯件图案化,其中图案化包括:将掩模设置在柔印坯件的第二表面上,使用具有在250nm-600nm之间的多个波长和从0.3J/cm2到1.0J/cm2的固化剂量的紫外光固化第一表面,其中固化第一表面在第一表面上形成底层,固化第二表面固化第二表面以在第二表面上形成图案,固化第二表面包括在5J/cm2到25J/cm2之间的剂量的UV光;并且在固化第二表面之后在第二表面上形成图案,其中图案包括具有在20°-70°之间的侧壁角的多条线。实施例还包括将图案化柔印坯件设置在辊上,使用第一墨和图案化柔印版在基板的至少一侧上印刷第一基板;在至少一侧上印刷第二基板;镀覆基板,其中镀覆基板包括将基板镀覆有导电材料;并且在镀覆之后形成高分辨率导电图案。
在实施例中,使柔印坯件图案化的方法包括:将第一掩模设置在柔印坯件的第一表面上,其中柔印坯件包括第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中第一表面包括背衬;并且固化第一表面,其中固化第一表面在第一表面上形成底层,并且其中固化包括发射具有在250nm-600nm之间的多个波长和从0.3J/cm2到1.0J/cm2的固化剂量的紫外(UV)辐射。实施例还包括使用第一掩模固化第二表面以在第二表面上形成印刷图案和基底支承结构,固化第二表面包括在5J/cm2到25J/cm2之间的剂量的UV光;其中印刷图案包括第一多条线,并且其中第一掩模大小在图案的10-1000倍之间;并且固化第二表面以进一步形成基底支承结构,其中基底支承结构包括第二多条线,并且其中固化包括使用第二掩模,其中第二掩模大小在图案的10%范围内。
在实施例中,加强的柔印版包括:底层,该底层包括设置在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的弹性体或光敏聚合物;印刷墨表面,该印刷墨表面包括设置在光敏聚合物上的包括第一多条线的凸印图案,并且其中包括第二多条线的基底支承结构设置在光敏聚合物上。实施例还包括,其中第一多条线中的每条线以与第二多条线中的每条线交替的方式设置,其中在第一固化期间使用设置在光敏聚合物上的第一掩模形成第一多条线,其中第一掩模是第一多条线的大小的10-1000倍,并且其中使用第二掩模形成第二多条线,其中第二掩模大小在第二多条线的10%范围内。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造