[发明专利]双轴各向异性磁阻传感器有效
申请号: | 201280058614.4 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN103959080A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | J·库比克 | 申请(专利权)人: | 科克大学学院;美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 爱尔*** | 国省代码: | 爱尔兰;IE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性 磁阻 传感器 | ||
1.一种传感器,包括:
第一传感器单元,其具有包括多个磁阻器的电阻器桥,每个磁阻器具有各向异性磁阻材料的至少一个细长带,该至少一个细长带具有与磁阻材料的技术各向异性轴基本平行的纵轴;以及
第二传感器单元,其具有包括多个磁阻器的电阻器桥,该多个磁阻器具有各向异性磁阻材料的多个细长带,其中第二传感器单元的多个带包括:
具有以第一角度对齐至技术各向异性轴的纵轴的带的第一子组,以及
具有以第二角度对齐至技术各向异性轴的纵轴的带的第二子组,其中第二角度与第一角度具有基本相同的幅值但是具有相反的极性。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中各向异性磁阻材料具有共同的技术各向异性轴。
3.根据权利要求1所述的传感器,其中第二传感器单元的多个磁阻器中的每个均包括来自第一子组的至少一个磁阻带以及来自第二子组的至少一个磁阻带。
4.根据权利要求1所述的传感器,其中第二传感器单元的每个磁阻器包括仅仅来自第一子组或仅仅来自第二子组的磁阻带。
5.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二传感器单元的各向异性磁阻材料被布置在各向异性磁阻材料的公共层中。
6.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二传感器单元的各向异性磁阻材料被布置在一个或多个各向异性磁阻材料的公共的垂直连续的层组中。
7.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二传感器单元形成在公共集成电路衬底上。
8.根据权利要求1所述的传感器,其中第一传感器单元被配置成对表示y轴环境磁场分量的第一差分电压敏感并输出表示y轴环境磁场分量的第一差分电压。
9.根据权利要求1所述的传感器,其中第二传感器单元被配置成对表示x轴环境磁场分量的第二差分电压敏感并输出表示x轴环境磁场分量的第二差分电压。
10.根据权利要求1所述的传感器,进一步包括形成在第一和第二传感器单元的每个磁阻器的每个磁阻带顶部或下方的螺旋条状导电带。
11.根据权利要求10所述的传感器,其中螺旋条状导电带包括具有相对于相应磁阻带的纵轴的至少两个不同空间定向的带。
12.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二传感器单元的电阻器桥是四电阻器桥。
13.根据权利要求1所述的传感器,其中第二传感器单元的电阻器桥是八电阻器桥。
14.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二角度的幅度介于30°和40°之间。
15.根据权利要求10所述的传感器,其中多个螺旋条状导电带的纵轴以第三角度对齐至各个磁阻带的纵轴,第三角度介于40°和55°之间。
16.根据权利要求1所述的传感器,其中第一和第二传感器单元的每个磁阻带基本上是矩形或细长部分,该矩形或细长部分的长度对齐至其纵轴,该矩形或细长部分的幅度小于所述长度的宽度垂直于纵轴。
17.根据权利要求1所述的传感器,进一步包括布置在下述配置中的至少一个中的导电线圈:第一和第二传感器单元的磁阻材料上方的层中,或者第一和第二传感器单元的磁阻材料下方的层中。
18.根据权利要求17所述的传感器,其中导电线圈包括多个基本笔直的导体部分,其被配置成传导基本垂直于上方或下方的纵轴磁阻带的电流。
19.根据权利要求17所述的传感器,其中导电线圈包括多个基本笔直的导体部分,其被配置成以不垂直于上方或下方的纵轴磁阻带的角度传导电流。
20.根据权利要求1所述的传感器,其中各向异性磁阻材料包括镍铁合金(NiFe)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科克大学学院;美国亚德诺半导体公司,未经科克大学学院;美国亚德诺半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280058614.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。