[发明专利]固体电子装置有效
| 申请号： | 201280058844.0 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103999207B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/316;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 杨勇,钟守期 |
| 地址： | 日本埼玉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固体 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种固体电子装置，其中，
所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质，
并且所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相。
2.根据权利要求1所述的固体电子装置，其中，
所述氧化物层的碳含量在1.5atm％以下。
3.根据权利要求1所述的固体电子装置，其中，
在形成所述氧化物层之前，通过将所述前驱体层在含氧气氛中以80℃以上且300℃以下的温度加热的状态下实施模压加工，形成所述前躯体层的模压结构。
4.根据权利要求3所述的固体电子装置，其中，
用1MPa以上且20MPa以下范围内的压力实施所述模压加工。
5.根据权利要求3所述的固体电子装置，其中，
使用预先加热到80℃以上且300℃以下范围内的温度的模具来实施所述模压加工。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的固体电子装置，其中，
所述固体电子装置是电容器。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的固体电子装置，其中，
所述固体电子装置是半导体装置。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的固体电子装置，其中，
所述固体电子装置是MEMS元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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