[发明专利]激光划线系统、设备和方法无效
申请号: | 201280058873.7 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103959452A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·马修·霍尔登 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 划线 系统 设备 方法 | ||
1.一种划线设备,所述划线设备包括:
第一阶站,所述第一阶站适以接收第一基板;
第二阶站,所述第二阶站适以接收第二基板;和
一个或更多个激光,所述一个或更多个激光适以发出激光光束朝向所述第一阶站和所述第二阶站,并适以对所述基板划线。
2.如权利要求1所述的划线设备,其中所述第一阶站和所述第二阶站布置于一并排方向。
3.如权利要求1所述的划线设备,其中所述第一阶站和所述第二阶站包括旋转阶站。
4.如权利要求1所述的划线设备,其中所述第一阶站和所述第二阶站包括并排R-θ阶站,所述并排R-θ阶站配置为在θ中旋转所述第一基板和所述第二基板,并在R中平移所述第一基板和所述第二基板。
5.如权利要求1所述的划线设备,其中所述一个或更多个激光包括两束激光,所述两束激光的激光光束结合以形成划线激光光束。
6.如权利要求1所述的划线设备,其中所述划线设备配置为具有第一操作配置,在所述第一操作配置下当在所述第二阶站上的所述第二基板被定位以接受激光划线处理时,在所述第一阶站上的所述第一基板被定位以接受定向处理。
7.如权利要求1所述的划线设备,其中所述划线设备配置为具有第二操作配置,在所述第二操作配置下,当在所述第二阶站上的所述第二基板被定位以接受定向处理时,在所述第一阶站上的所述第一基板被定位以接受激光划线处理。
8.如权利要求1所述的划线设备,所述划线设备包括光束输送头,所述光束输送头适以在所述第一阶站与所述第二阶站之间移动,以执行所述第一基板和所述第二基板的激光划线。
9.一种电子装置处理系统,所述电子装置处理系统包括:
工厂接口;
蚀刻工具,所述蚀刻工具耦接至所述工厂接口;和
双阶站划线设备,所述双阶站划线设备耦接至所述工厂接口。
10.一种在电子装置处理系统中处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:
设置双阶站划线设备,所述双阶站划线设备具有适以接收第一基板的第一阶站、适以接收第二基板的第二阶站、和适以对于所述第一基板和所述第二基板划线的一个或更多个激光;
将所述第一阶站定位于第一位置,以在所述第一基板上执行定向处理;和
将所述第二阶站定位于第二位置,以当所述第一基板正接收所述定向处理时,执行所述第二基板的激光划线。
11.如权利要求10所述的处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:
利用所述双阶站划线设备的划线光束切割芯片附加膜。
12.如权利要求10所述的处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:在耦接至所述工厂接口的涂布设备内对于所述第一基板和第二基板施加涂布。
13.一种处理经切割的基板的方法,所述方法包括以下步骤:
设置经切割的基板,所述基板具有芯片附加膜;
将所述经切割的基板装载在划线设备的阶站上;和
利用所述划线设备的划线光束切割所述芯片附加膜。
14.如权利要求13所述的处理经切割的基板的方法,其中所述切割包括:
在光束输送头处结合两个激光光束,以形成所述划线光束。
15.一种划线设备,所述划线设备包括:
阶站,所述阶站适以接收基板;
光束输送头,所述光束输送头适以产生划线光束;
第一激光,所述第一激光适以发出激光光束朝向所述光束输送头;和
第二激光,所述第二激光适以发出激光光束朝向所述光束输送头,
其中所述第一光束和第二光束在所述光束输送头内结合而产生所述划线光束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造