[发明专利]具有优化的边缘终止的半导体元器件

权利要求书

1.一种半导体元器件，包括

-一半导体主体(21)，该半导体主体具有第一侧面(22)、第二侧面(23)和边缘(24)，

-一内部区(27)，该内部区具有第一导电类型的一基本掺杂，

-第一阴极侧半导体区(61)，该第一阴极侧半导体区被安置在第一侧面(22)和内部区(27)之间，并且是具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的该第一导电类型，

-一第二阳极侧半导体区(29)，该第二阳极侧半导体区被安置在第二侧面(23)和内部区(27)之间，并且是一第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型互补，且掺杂浓度高于内部区(27)，

-至少一个第一边缘斜面，该第一边缘斜面至少沿着第二阳极侧半导体区(29)和内部区(27)的边缘(24)以第一角度(30)向从第二阳极侧半导体区(29)至内部区(27)的过渡的扩展面延伸，

第一阴极侧半导体区(61)和内部区(27)之间设置有至少一个埋入式半导体区(41、81)，该埋入式半导体区为具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第二导电类型，并且基本上平行于第一阴极侧半导体区(61)延伸，其中，埋入式半导体区(41、81)仅被设置在半导体主体(21)的边缘区域(26)中，

第二边缘斜面，该第二边缘斜面相对于从第一阴极侧半导体区(61)向内部区(27)的过渡具有第二角度(71)，该第二边缘斜面至少沿着第一阴极侧半导体区(61)和埋入式半导体区(41)的边缘(24)延伸，其中，第二角度(71)的绝对值小于第一角度(30)的绝对值。

2.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

埋入式半导体区(41、81)被安置成与半导体主体(21)的边缘(24)横向地间隔开，横向距离在30μm和200μm之间。

3.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

埋入式半导体区(41、81)具有在2×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3之间的最大掺杂浓度，以及在1.5μm至15μm之间的竖直深度。

4.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

在第一阴极侧半导体区(61)和内部区(27)之间设置有场停止区(62)，场停止区平行于第一阴极侧半导体区(61)延伸并且为第一导电类型，场停止区(62)具有在第一阴极侧半导体区(61)的掺杂浓度和内部区(27)的掺杂浓度之间的掺杂浓度，其中，第一导电类型以内部区(27)的方向被定位于埋入式半导体区(41)的前面。

5.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

若干埋入式半导体区(41、81)被设置成安置于一平面中并彼此横向地间隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

在埋入式半导体区(41、81)中设置有多个间断(82)，这些间断是多个条和/或二维孔配置的形式。

7.根据权利要求1所述的半导体元器件，

其特征在于，

埋入式半导体区(41、81)在半导体主体(21)的整个直径上延伸。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体元器件，

其特征在于，

该半导体元器件被配置成一盘状单元二极管(70、80)。