[发明专利]固体电解电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280058967.4 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103959414A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 远藤骏介 申请(专利权)人: 日本贵弥功株式会社
主分类号: H01G9/028 分类号: H01G9/028
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 电解电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.固体电解电容器,其特征在于,包括:

在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜,和

在所述细孔内部形成、同时含有胺类和具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子的导电性高分子层。

2.固体电解电容器,其特征在于,包括:

在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜,

在所述细孔内部形成的、具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层,和

在所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层的表层形成的、含有胺类的含胺类层。

3.固体电解电容器,其特征在于,包括:

在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜,

在所述细孔内部形成的、具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层,和

在所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层的表层形成的、所述水溶性的自掺杂型导电性高分子的所述磺酸基和胺类结合的结合层。

4.如权利要求1~3中任一项所述的体电解电容器,其特征在于,具有1~100nm的细孔的直径。

5.固体电解电容器的制造方法,其特征在于,包括:

在具有细孔的阳极体的表面形成电介质氧化覆膜的工序;和

在所述细孔内部形成含有胺类和具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子的导电性高分子层的工序。

6.固体电解电容器的制造方法,其特征在于,包括:

在具有细孔的阳极体的表面形成电介质氧化覆膜的工序;

在所述细孔内部形成具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层的工序;和

使含有胺类的溶液与所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层接触的工序。

7.如权利要求5或6所述的固体电解电容器的制造方法,其特征在于,包括:在形成所述导电性高分子层的工序或使含有胺类的溶液与水溶性的自掺杂型导电性高分子层接触的工序之后,通过清洗除去胺类的残留化合物的清洗工序。

8.如权利要求5~7中任一项所述的固体电解电容器的制造方法,其特征在于,还包括:在所述阳极体上涂布在水溶液中分散有导电性高分子化合物的分散液之后,进行干燥而形成导电性高分子层的工序。

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