[发明专利]电离装置有效
申请号: | 201280059245.0 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103959427A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | J.E.库利;S.科萨里 | 申请(专利权)人: | 安捷伦科技有限公司 |
主分类号: | H01J49/10 | 分类号: | H01J49/10;G01N27/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 姚冠扬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电离 装置 | ||
1.一种电离装置,包括:
等离子体源,其配置成产生等离子体,所述等离子体包括光、等离子体离子和等离子体电子;
等离子体偏转装置,其设置在所述等离子体源与电离区域之间;以及
电子加速装置,其设置在所述等离子体源与电离区域之间,所述等离子体偏转装置和电子加速装置配置成在第一时间间隔期间建立第一电场并且在第二时间间隔期间建立第二电场,其中,所述第一电场基本上防止等离子体电子和等离子体离子进入所述电离区域,同时允许光到达电离区域,并且所述第二电场基本上防止等离子体离子进入电离区域,同时允许光到达电离区域。
2.根据权利要求1所述的电离装置,其中,所述第一电场基本上垂直于所述等离子体源与电离区域之间的轴线。
3.根据权利要求1所述的电离装置,其中,所述第二电场基本上平行于所述等离子体源与电离区域之间的轴线。
4.根据权利要求1所述的电离装置,还包括用于将随时间变化的电压施加至所述电子加速装置的设备和将直流(DC)电压施加至所述等离子体偏转装置的设备。
5.根据权利要求4所述的电离装置,其中,所述随时间变化的电压约为具有的周期基本上等于所述第一时间间隔与所述第二时间间隔之总和的方波电压。
6.根据权利要求5所述的电离装置,其中,所述第一时间间隔的持续时间与所述第二时间间隔的持续时间基本相同。
7.根据权利要求5所述的电离装置,其中,所述电离装置在所述第一时间间隔期间以PI模式操作,在所述第二时间间隔期间以EI/PI模式操作。
8.根据权利要求1所述的电离装置,其中,所述等离子体偏转装置设置在所述等离子体源与电离区域之间,所述电子加速装置设置在所述等离子体偏转装置与电离区域之间。
9.根据权利要求1所述的电离装置,其中,所述电子加速装置设置在所述等离子体源与电离区域之间,所述等离子体偏转装置设置在所述电子加速装置与电离区域之间。
10.一种质谱仪,包括质量分析器、检测器和离子源,其中,所述离子源包括根据权利要求1所述的电离装置。
11.根据权利要求10所述的质谱仪,还包括:
控制器,其配置成协调在所述第一时间间隔期间光电离数据的收集和在所述第二时间间隔期间光电离数据与电子碰撞电离数据的收集。
12.根据权利要求10所述的质谱仪,还包括:
电源,其选择性地连接在所述控制器、以及所述等离子体偏转装置和所述电子加速装置之间,其中,所述电源配置成将电压施加至所述等离子体偏转装置和电子加速装置,以创建所述第一电场和所述第二电场。
13.根据权利要求12所述的质谱仪,其中,所述电源配置成将随时间变化的电压施加至所述电子加速装置并且将直流(DC)电压施加至所述等离子体偏转装置。
14.一种将电离区域中的样品气体暴露至电离源的方法,所述方法包括:
产生包括光、等离子体离子和等离子体电子的等离子体;
在第一时间间隔期间建立第一电场,以基本上防止等离子体电子和等离子体离子进入电离区域,同时允许光到达电离区域;
在第二时间间隔期间建立第二电场,以加速等离子体电子朝向电离区域并且基本上防止等离子体离子进入电离区域,同时允许光到达电离区域;以及
将所述样品气体输送至电离区域。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第一电场基本上垂直于对称轴。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第二电场基本上平行于对称轴。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,建立所述第一电场包括施加随时间变化的电压。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,建立所述第二电场包括施加直流(DC)电压。
19.根据权利要求14所述的方法,其中,所述方法还包括:
协调在所述第一时间间隔期间光电离数据的收集。
20.根据权利要求19所述的方法,其中,所述方法还包括:
协调在所述第二时间间隔期间光电离数据与电子碰撞电离数据的收集。
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