[发明专利]电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和镓酞菁晶体在审
申请号: | 201280059347.2 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103959173A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 田中正人;川原正隆;渡口要;村上健;吉田晃 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06;G03G5/05;C07F5/00 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 构件 处理 设备 镓酞菁 晶体 | ||
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,以及镓酞菁晶体。
背景技术
通常用作图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长目前为长波长如650至820nm。因此,对具有此类长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发已经进展。
酞菁颜料作为对具有在此长波长区域的波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地,氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性,并且迄今为止已报道了其各种晶形。
使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性。然而,所述电子照相感光构件涉及下列问题。所产生的光载流子容易残留在电子照相感光构件的感光层上,并容易用作一种存储器,从而引起电位变化如重影现象。
专利文献1报道了在酞菁颜料的酸溶(acid pasting)工艺时特定的有机电子受体的添加发挥增感效果。然而,该方法涉及下列担忧和问题。添加剂可能化学变化,从而难以将添加剂转化为期望的晶形。
另外,专利文献2报道下述。当颜料和特定的有机电子受体进行湿式粉碎处理时,有机电子受体在晶体转化的同时引入晶体的表面,因此改进了电子照相特性。
然而,通过该方法获得的酞菁晶体本身不包含有机电子受体,并且受体仅处于与晶体混合的状态或仅附着至其表面。因此,该方法与在电荷产生层用涂布液的制造时添加特定的有机电子受体的所谓分散时添加在构成和效果上相同。
另外,专利文献3公开了将二苯甲酮类化合物用于电子照相感光构件。该文献记载了使用二苯甲酮类化合物发挥对电荷产生物质的光氧化的防止效果和对残余电位增加的抑制效果。
然而,专利文献1至3中均没有公开用氨基取代的二苯甲酮类化合物。
文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开2001-40237号
专利文献2:日本专利申请特开2006-72304号
专利文献3:日本专利申请特开H06-273953号
发明内容
发明要解决的问题
如上所述,已尝试对电子照相感光构件的各种改进。
然而,近年来已期望与图像品质的额外改进相关的在各种环境下由于重影现象引起的图像品质的劣化的减轻。
鉴于上述,本发明的目的为提供已解决了上述问题并且不仅在常温常湿环境下而且在作为特别严苛条件的低温低湿环境下可输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像的电子照相感光构件,和各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
另外,本发明的目的为提供本身含有特定的胺化合物的镓酞菁晶体。
用于解决问题的方案
本发明提供包括支承体和形成于该支承体上的感光层的电子照相感光构件,其中所述感光层包括本身含有由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体:
在式(1)中:R1至R10各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种,条件是R1至R10中的至少之一表示选自用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种;和X1表示羰基和二羰基之一。
本发明还提供一种处理盒,其包括:上述电子照相感光构件;和选自由用于将电子照相感光构件的表面充电的充电单元、用于用调色剂将形成于电子照相感光构件的表面上的静电潜像显影的显影单元和用于除去在调色剂图像转印至转印材料后的电子照相感光构件的表面上的调色剂的清洁单元组成的组的至少一种单元,所述电子照相感光构件和所述至少一种单元一体化地支承,其中处理盒可拆卸地可安装至电子照相设备的主体。
本发明还提供一种电子照相设备,其包括:上述电子照相感光构件;用于将电子照相感光构件的表面充电的充电单元,用于用图像曝光光照射电子照相感光构件的带电表面来形成静电潜像的图像曝光单元;用于用调色剂将形成于电子照相感光构件的表面上的静电潜像显影的显影单元;和用于将形成于电子照相感光构件的表面上的调色剂图像转印至转印材料的转印单元。
本发明还提供镓酞菁晶体,其本身含有由下式(1)表示的胺化合物。
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