[发明专利]用于超级结型MOSFET器件的边缘端接

权利要求书

1.一种超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件，包括：

衬底；

电荷补偿区域，位于所述衬底之上并且在N型掺杂剂区域内包括多列P型掺杂剂；

N型掺杂剂层，位于所述电荷补偿区域之上；

源极，所述源极的一部分位于所述N型掺杂剂层之上；

漏极，位于所述N型掺杂剂层之上；以及

边缘端接结构，位于所述源极和所述漏极之间，其中，所述边缘端接结构的一部分位于所述N型掺杂剂层之上，

所述多列P型掺杂剂在所述源极、所述边缘端接结构和所述漏极下方具有相同的高度。

2.根据权利要求1所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述边缘端接结构包括场环。

3.根据权利要求1所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述边缘端接结构包括场板。

4.根据权利要求1所述的超级结型MOSFET器件，进一步包括多个边缘端接结构。

5.根据权利要求4所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场环。

6.根据权利要求4所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场板。

7.根据权利要求4所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场环和多个场板。

8.一种超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件，包括：

衬底；

电荷补偿区域，位于所述衬底之上并且在P型掺杂剂区域内包括多列N型掺杂剂；

P型掺杂剂层，位于所述电荷补偿区域之上；

源极，所述源极的一部分位于所述P型掺杂剂层之上；

漏极，位于所述P型掺杂剂层之上；以及

边缘端接结构，位于所述源极和所述漏极之间，所述边缘端接结构的一部分位于所述P型掺杂剂层之上，以及

所述多列N型掺杂剂在所述源极、所述边缘端接结构和所述漏极下方具有相同的高度。

9.根据权利要求8所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述边缘端接结构包括场环。

10.根据权利要求8所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述边缘端接结构包括场板。

11.根据权利要求8所述的超级结型MOSFET器件，进一步包括多个边缘端接结构。

12.根据权利要求11所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场环。

13.根据权利要求11所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场板。

14.根据权利要求11所述的超级结型MOSFET器件，其中，所述多个边缘端接结构包括多个场环和多个场板。

15.一种制造超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件的方法，包括：

生成超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的电荷补偿区域，其中，所述电荷补偿区域位于衬底之上并且在第二类型掺杂剂区域内包括多列第一类型掺杂剂，所述超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件包括源极和漏极；

生成位于所述电荷补偿区域之上并且包括浓度比所述第二类型掺杂剂区域更低的第二类型掺杂剂的层，所述源极的一部分位于所述层之上，所述漏极位于所述层之上；以及

生成边缘端接结构，所述边缘端接结构位于所述源极和所述漏极之间，所述边缘端接结构的至少一部分位于所述层之上，

所述多列第一类型掺杂剂在所述源极、所述边缘端接结构和所述漏极下方具有相同的高度。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一类型掺杂剂包括P型掺杂剂并且所述第二类型掺杂剂包括N型掺杂剂。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一类型掺杂剂包括N型掺杂剂并且所述第二类型掺杂剂包括P型掺杂剂。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述边缘端接结构包括场环。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述边缘端接结构包括场板。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述生成所述边缘端接结构进一步包括生成多个边缘端接结构。