[发明专利]位于包含氧化物层的结构体中的键合界面的稳定化方法及所得结构体

权利要求书

1.一种位于结构体(4)中的键合界面(3)的稳定化方法，所述结构体(4)应用于电子学、光学和/或光电子学领域，且所述结构体(4)包含在活性层(14)和受体衬底(2)之间的隐埋氧化物层(5,16,23)，所述键合界面(3)通过分子粘附获得，

其特征在于，所述方法包括用激光(7)所提供的光能流照射所述结构体(4)，以使导向所述结构体的所述光能流由能量转化层(6)吸收并在该层中转化成热，并且，所述热朝向所述键合界面(3)扩散至所述结构体(4)中，由此使所述键合界面(3)稳定化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述能量转化层(6)形成在所述活性层(14)上和/或形成在所述活性层(14)中。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述隐埋氧化物层(5,16,23)的厚度小于或等于100nm。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述活性层(14)的构成材料在所述光能流的波长范围内是透明的，所述构成材料传导热量，且厚度小于1μm。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述键合界面(3)在一起构成所述隐埋氧化物层(5)的两个氧化物层(16,23)之间延伸，或在所述隐埋氧化物层(5,16,23)和所述活性层(14)之间延伸。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光(7)的能量密度和所述能量转化层(6)的构成材料被选择为使所述隐埋氧化物层(5,16,23)达到超过1200℃的温度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将对所述结构体的照射设于所述键合界面承受应力的区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述键合界面的所述区域是所述转化层(6)的边缘(26)。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述键合界面(3)位于所述隐埋氧化物层(5,16,23)和所述受体衬底(2)之间。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述转化层(6)是所述活性层(14)。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述能量转化层(6)的构成材料的热导率小于20W/m·K。

12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述能量转化层(6)由选自二氧化硅(SiO₂)、硅和氮化硅(Si₃N₄)的材料制成。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，对所述结构体(4)的照射通过使所述受体衬底(2)的被称作“背面”的自由表面(22)暴露于所述光能流来进行，所述受体衬底的构成材料在所述光能流的波长范围内是透明的。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述受体衬底(2)由选自蓝宝石、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)和石英的材料制成。

15.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光(7)是波长大于9μm的红外激光。

16.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光是脉冲式CO₂激光。

17.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述活性层(14)的构成材料是半导体材料。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述半导体材料是硅。

19.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，构成所述隐埋氧化物层(5,16,23)的氧化物选自二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)和氧化铪(HfO₂)。