[发明专利]工件处理系统以及工件处理方法有效
申请号: | 201280059757.7 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN103988290B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 杰森·M·夏勒;罗伯特·B·宝佩特;查理斯·T·卡尔森;麦考林·N·丹尼尔;亚隆·P·威波;威廉·T·维弗 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工件 处理 系统 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种工件处理,且特别涉及一种高产率应用的工件处理。
背景技术
离子植入法是一种用于将改变导电性的杂质引入工件中的标准技术。在离子源中将所要的杂质材料离子化,使离子加速以形成具规定能量的离子束,且将离子束导向工件的表面处。离子束中的高能离子穿入工件材料主体中,且嵌进工件材料的晶格中以形成具有所要导电性的区域。
产率与电池效率为太阳能电池制造业的两个要点,电池效率为测量能量转换成电能的量,较高的电池效率对具竞争性是必须的。然而,提高电池效率的代价不能牺牲产率。
离子植入法已证实为掺杂太阳能电池的可行方法。离子植入法的利用省去了现今技术所需的诸如扩散炉的制程步骤,可提升产率并降低成本。例如因为离子植入法仅掺杂所要的表面,如果使用离子植入法代替炉扩散,可省去激光边缘分离步骤。除了省去制程步骤外,已证实使用离子植入法可达到较高的电池效率。离子植入法也能够对太阳能电池的整个表面进行毯覆式植入(blanket implant),或仅对部分的太阳能电池进行选择性或图案化植入。利用离子植入法的高产率选择性植入法可避免用于炉扩散的高价且耗时的微影或图案化步骤。对于离子植入器的产率或其可靠度的任何改良将有益于全世界的太阳能制造者,可加速应用太阳能电池作为替代能源。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供一种工件处理系统。此系统包括多个输送带以及加载互锁区(load lock);第一交换机械臂(robot)持有多个工件,且在建造台与加载互锁区之间传送多个工件;支架机械臂在多个输送带中的每一个与第一交换机械臂之间传送多个工件。
根据本发明的第二方面,提供一种工件处理方法。此方法包括:利用支架机械臂将多个已加工工件从交换机械臂传送至第一输送带,其中交换机械臂包含多列已加工工件;接着利用支架机械臂将多个未加工工件从第二输送带传送至交换机械臂;然后重复传送已加工工件与未加工工件,直到未加工工件已经取代交换机械臂上的所有已加工工件。
根据本发明的第三方面,提供一种工件处理方法。此方法包括:当第二交换机械臂位于该第一交换机械臂下时,将多个未加工工件负载于第一交换机械臂上;继而当第一交换机械臂位于加载互锁区外时,将第二交换机械臂移进加载互锁区内,以将多个已加工工件负载至该第二交换机械臂上;接着从加载互锁区移去第二交换机械臂及多个已加工工件;然后当第二交换机械臂位于加载互锁区外时,将第一交换机械臂移进加载互锁区内;接着从加载互锁区内移去第一交换机械臂;继而当第一交换机械臂在停放位置时,将第二多个未加工工件负载于第二交换机械臂上,并将多个已加工工件从第二交换机械臂卸载。
附图说明
参照附图以更清楚理解本发明,其以引用方式并入本说明书中,且其中:
图1为工件处理系统的第一实施例的透视图。
图2为图1所表示的工件处理系统的第一实施例的俯视图。
图3为图1所表示的工件处理系统的第一实施例的侧视图。
图4A~4E显示以图1~3所绘工件处理系统进行工件处理的一实施例。
图5A~5F显示以图1~3所绘工件处理系统进行工件处理的另一实施例。
具体实施方式
以下将叙述与太阳能电池有关的工件处理系统。然而,本发明的实例可用于其他工件,诸如半导体晶圆、发光二极体、绝缘层覆硅(silicon-on-insulator,SOI)晶圆或其他元件。工件处理系统可用于离子植入器或其他诸如沉积、蚀刻、或其他工件处理系统的制程设备。因此,本发明不受限于以下的实例。
图1~3所表示的工件处理系统100利用4×4的工件112的矩阵101每小时能够处理的晶圆或工件数(wph)约为3000。当然亦可使用其他矩阵101的设计,以下的实例不仅限于4×4矩阵101。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造