[发明专利]催化剂CVD法及其装置

权利要求书

1.一种催化剂CVD法，所述催化剂CVD法在反应室内并列地配置通过通电被加热到1500℃至1800℃那样的极高的温度的钨的线状催化剂体和被加热到250℃至260℃的铝制的圆筒状基体，向通过真空泵而成为真空状态的反应室内依次导入SiH₄和B₂H₆的混合气体、SiH₄和H₂的混合气体以及SiH₄和NH₃的混合气体，使之与被加热的催化剂体引起催化剂反应，使因该反应而分解生成的反应生成物到达基体，将非晶硅类膜作为电荷注入阻止层、光导电层以及表面保护层来依次堆积，其特征在于，在形成表面保护层前，为了减少来自线状催化剂体的辐射热的影响，使基体的温度充分低下，而使线状催化剂体远离基体的表面。

2.一种催化剂CVD装置，所述催化剂CVD装置包括反应室、用于使反应室成为真空的真空泵、被放置在多个支撑体的每一个，并被加热到250℃至260℃的铝制的圆筒状基体、用于使由圆筒状保持器保持的圆筒状基体旋转的装置、被插入圆筒状基体内，并用于对基体进行加热控制的加热·冷却装置、与圆筒状基体并排地被配置，通过通电被加热到1500℃至1800℃那样的极高的温度的钨的线状催化剂体、用于依次向前述反应室导入SiH₄和B₂H₆、H₂以及NH₃的混合气体的装置、用于从反应室将废气排气的装置，其特征在于，包括电极支撑框、被放置在该上下的电极上的多根钨的线状催化剂体、使电极支撑框可在与圆筒状基体的长边方向轴线垂直的方向移动，且从壳体的顶板悬垂支撑的装置、用于为使线状催化剂体挨近或远离圆筒状基体而使电极支撑框相对于圆筒状基体移动的装置。

3.如权利要求2所述的催化剂CVD装置，其特征在于，圆筒状基体经不锈钢制的垫片各重叠地配置2根，被重叠的圆筒状基体由不锈钢制的按压筒从上下保持，被放置在支撑体的每一个，反应室由在前面具有开口的壳体和关闭该开口的门构成，门具备在其下方位置和上方位置从门的内面向反应室内延伸的用于前述支撑体的支撑托架和具有用于接收由圆筒状基体以及圆筒状保持器构成的筒集合体的孔的保持板，伴随着门的打开，经圆筒状保持器被放置在支撑托架支撑体上的圆筒状基体被拉出，或者在反应室外经圆筒状保持器将圆筒状基体放置在支撑体，此后，伴随着门的关闭，圆筒状基体被收纳在反应室内。

4.如权利要求2所述的催化剂CVD装置，其特征在于，用于使圆筒状基体旋转的装置包括由托架旋转自由地支撑，并与支撑体连结的齿轮列；和具有因门的闭锁而与齿轮列的1个啮合，并因门的开放而脱开的小齿轮，且外装于壳体的底壁的马达。

5.如权利要求2所述的催化剂CVD装置，其特征在于，使电极支撑框可在与圆筒状基体的长边方向轴线垂直的方向移动，且从壳体的顶板进行悬垂支撑的装置包括被固定在电极支撑框上的移动框、被固定在顶板上的一对安装部件和用于经滑动轴承将移动框装配在安装部件上的构件，用于使电极支撑框相对于圆筒状基体移动的装置包括被固定在移动框上的齿条；和具有与该齿条啮合的小齿轮，并且被外装在壳体的顶板壁上的马达，所述移动框被固定在电极支撑框上。