[发明专利]具有周期性调制光栅相位的DBR激光二极管无效
申请号: | 201280059813.7 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN104170187A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | D·V·库克森考弗;D·皮库拉;R·V·鲁斯夫 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/125 | 分类号: | H01S5/125 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 周期性 调制 光栅 相位 dbr 激光二极管 | ||
1.一种DBR激光二极管,包括DBR部分以及增益部分,其中:
所述DBR部分包括波长选择性光栅;
所述波长选择性光栅是由周期性调制光栅相位Φ及布拉格波长λB表征的;
所述波长选择性光栅的相位Φ是由周期ΛPM及调制深度ΦJ的周期性相位跃变表征的;
所述波长选择性光栅的相位跃变是关于所述DBR部分的一中点沿所述DBR激光二极管的一光轴实质上对称、反对称、或不对称地排列的;
所述波长选择性光栅沿所述DBR激光二极管的传播光轴的长度为
当相位分布相对于所述DBR部分的中点实质上对称时,在大约(m+0.01)ΛPM与大约(m+0.49)ΛPM之间,
当相位分布相对于所述DBR部分的中点实质上反对称时,在大约(m-0.49)ΛPM与大约(m-0.01)ΛPM之间,并且
当相位分布相对于所述DBR部分的中点实质上不对称时,在大约(m+0.6)ΛPM与大约(m+0.9)ΛPM之间,
其中m是正整数,ΛPM是所述波长选择性光栅的相位调制周期;并且所述调制深度ΦJ在大约0.72π与大约1.14π之间。
2.如权利要求1所述的DBR激光二极管,其特征在于,所述布拉格波长λB、相位跃变的周期ΛPM与调制深度ΦJ、以及所述波长选择性光栅的长度使所述波长选择性光栅呈现出2-5个主要的反射峰。
3.如权利要求2所述的DBR激光二极管,其特征在于,距离所述布拉格波长λB最近的两个主要反射峰被分开至少约1.6nm。
4.如权利要求1所述的DBR激光二极管,其特征在于:
所述波长选择性光栅的相位分布是由实质上梯形的周期性相位波形表征的;并且
所述布拉格波长λB、周期性相位波形的周期ΛPM和调制深度ΦJ、以及所述波长选择性光栅的长度使所述波长选择性光栅呈现出至少三个主要反射峰。
5.如权利要求1所述的DBR激光二极管,其特征在于,所述波长选择性光栅的相位分布是相对于所述DBR部分沿所述DBR激光二极管的光轴的一中点对称的。
6.如权利要求5所述的DBR激光二极管,其特征在于,所述相位跃变的周期ΛPM和调制深度ΦJ沿所述DBR激光二极管的光轴不变。
7.如权利要求5所述的DBR激光二极管,其特征在于,所述相位跃变的调制深度ΦJ沿所述DBR激光二极管的光轴变化了小于大约0.15π,相位调制的周期沿所述DBR激光二极管的光轴变化了多达大约25%,或两者皆是。
8.如权利要求1所述的DBR激光二极管,其特征在于:
所述波长选择性光栅的相位分布是相对于所述DBR部分的一中点沿所述DBR激光二极管的光轴对称;并且
所述波长选择性光栅沿所述DBR激光二极管的传播光轴的长度是在大约(m+0.1)ΛPM和大约(m+0.4)ΛPM之间。
9.如权利要求1所述的DBR激光二极管,其特征在于:
所述波长选择性光栅的相位分布是相对于所述DBR部分的一中点沿所述DBR激光二极管的光轴不对称;并且
所述波长选择性光栅沿所述DBR激光二极管的传播光轴的长度是在大约(m+0.6)ΛPM和大约(m+0.9)ΛPM之间。
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