[发明专利]MEMS器件的封装相容晶片级封盖

权利要求书

1.一种用于制造晶片级微机电系统(MEMS)器件封装的方法，其包括：

a)提供具有独立可移动微机电结构的基底；

b)形成覆盖所述基底的可热分解牺牲层，其中所述牺牲层基本上包封所述独立可移动微机电结构；

c)图案化所述牺牲层；

d)任选地形成毗邻的第二外涂层，所述第二外涂层包封所述图案化的牺牲层并覆盖所述基底的部分；

e)任选地将所述基底结合到芯片级封装支撑件；

f)在第一温度下在第一时间段内使用模塑化合物包封所述基底，且如果存在则包封所述芯片级封装支撑件，其中所述牺牲层基本上保持存在；和

g)在第二温度下固化所述模塑化合物，使得所述图案化的牺牲层热分解以形成围绕所述独立可移动微机电结构的腔室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括硅材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述基底为硅晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括非硅材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由选自以下的材料形成：聚碳酸酯、聚降冰片烯、聚醚、聚酯及其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由选自以下的聚碳酸酯形成：聚亚丙基碳酸酯(PPC)、聚亚乙基碳酸酯(PEC)、聚环己烷碳酸酯(PCC)、聚环己烷亚丙基碳酸酯(PCPC)、聚降冰片烯碳酸酯(PNC)及其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由聚亚丙基碳酸酯(PPC)形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由聚亚乙基碳酸酯(PEC)形成。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中所述牺牲层还包含光酸产生剂(PAG)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述光酸产生剂(PAG)为二苯基碘鎓盐或三苯基硫鎓盐。

11.根据权利要求9所述的方法，其中光酸产生剂(PAG)选自：四(五氟苯基)硼酸4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓(DPITPFPB)、四-(五氟苯基)硼酸三(4-叔丁基苯基)硫鎓(TTBPS-TPFPB)和六氟磷酸三(4-叔丁基苯基)硫鎓(TTBPS-HFP)。

12.根据权利要求1所述的方法，其还包括在图案化牺牲层之前提供覆盖所述牺牲层的第一外涂层，其中所述第一外涂层由选自以下的聚合物形成：环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)、聚酰亚胺、聚降冰片烯、环氧树脂、苯并环丁烯基聚合物、聚酰胺和聚苯并噁唑(PBO)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中图案化所述牺牲层包括首先图案化所述第一外涂层并将所述第一外涂层的图案转移到所述牺牲层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述牺牲层的所述图案化之后去除所述第一外涂层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一外涂层由环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)形成。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层具有约1μm至约10μm的厚度。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一外涂层具有约0.1μm至约3μm的厚度。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二外涂层具有约0.1μm至约3μm的厚度。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述模塑化合物具有约0.1mm至约5mm的厚度。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述模塑化合物具有约0.2mm至约2mm的厚度。

21.根据权利要求19或20所述的方法，在其中所述模塑化合物为环氧化合物。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述模塑通过注射模塑在约160℃至约200℃的温度及在约8MPa至约12MPa的注射表压进行。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层在约180℃至约250℃的温度分解。