[发明专利]光电子半导体芯片

说明书

技术领域

说明一种光电子半导体芯片。

发明内容

要解决的任务在于说明一种光电子半导体芯片，其能够特别有效地被运行。

这里所描述的光电子半导体芯片尤其是发射辐射的光电子半导体芯片。例如涉及在运行中发出UV辐射、可见光或红外辐射的光电子半导体芯片。光电子半导体芯片尤其是发光二极管芯片。此外可能的是，半导体芯片是接收辐射的光电子半导体芯片，例如是太阳能电池或光电二极管。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，该光电子半导体芯片包括多个有源区，这些有源区彼此间隔地布置。在该光电子半导体芯片的运行中，在所述有源区中产生电磁辐射，该电磁辐射至少部分地离开该半导体芯片。

该光电子半导体芯片包括多个有源区，这些有源区分别彼此以一间距来布置。在此可能的是，所述有源区在下侧上和/或在上侧上通过另外的元件相互连接。在此情况下，所述有源区在其下侧与其上侧之间的区域中相互间隔并且在那里并不相互连接。

所述有源区例如可以按规则的格栅的方式来布置。也就是说，所述有源区彼此以预先给定的间距来布置，例如在所述有源区的上侧的俯视图中可看到规则的格栅结构、譬如矩形格栅的结构或三角形格栅的结构。然而，所述有源区的随机分布也是可能的。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，该光电子半导体芯片包括反射层，该反射层被布置在所述多个有源区的下侧上。在此可能的是，该光电子半导体芯片包括唯一的反射层，该反射层将该光电子半导体芯片的所有有源区在其下侧上相互连接。在此，所述有源区可以在其下侧上至少部分地直接与该反射层邻接。

该反射层尤其可以构造为导电的。该反射层于是用于将所述有源区电连接，在所述有源区的下侧上布置该反射层。例如，该反射层为此利用金属形成。例如，该反射层可以包含如下金属之一或由如下金属之一构成：银、铝、铬、铑、镍、铂、钨、钛。

此外，可能的是，该反射层被构造为至少部分地电绝缘。该反射层于是可以包括介质镜或由这样的介质镜构成。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，所述有源区中的至少一个具有主延伸方向。也就是说，该有源区并不在每个空间方向上等宽地延伸，而是存在优选方向，即主延伸方向，该有源区在主延伸方向上具有其最大的延伸。

例如，该有源区可以具有圆柱体的形状、截锥体的形状或棱柱体的形状，尤其是具有六边形或三角形基面的棱柱体的形状。于是主延伸方向是如下方向，在该方向上确定圆柱体或截锥体的高度。换言之，所述至少一个有源区通过微长地伸展的三维体形成并且例如不具有球体或立方体的形状。此外，该有源区并不是连续的未结构化的面。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，所述至少一个有源区具有核心区，其利用第一半导体材料形成。第一半导体材料在此具有第一导电类型。例如，第一半导体材料被构造为n型导电的。第一半导体材料例如可以基于n掺杂的III/V半导体材料系。例如，第一半导体材料基于n掺杂的氮化物半导体材料系。尤其是，第一半导体材料于是可以基于n型导电的GaN、InGaN、AlGaN或AlInGaN。

该有源区的核心区尤其沿着主延伸方向延伸并且可以具有与该有源区相同的形状。如果该有源区例如以圆柱体或棱柱体的形状来构造，则该核心区也可以具有圆柱体的形状。该核心区于是尤其是可以被构造为实心体（Vollk?rper），该实心体由第一半导体材料构成。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，所述至少一个有源区包括有源层，该有源层至少在横向于该有源区的主延伸方向的方向上遮盖核心区。该核心区例如具有外壳面，该外壳面可以利用该有源层的材料尤其是完全被遮盖。该核心区在此可以直接与该有源层邻接。在该光电子半导体芯片的运行中，由该光电子半导体芯片产生的辐射在该有源区中并且在那里尤其是在该有源层中被产生。在制造公差的范围内，该有源层优选地具有均匀的厚度。

根据该光电子半导体芯片的至少一种实施方式，所述至少一个有源区包括覆盖层，该覆盖层利用第二半导体材料形成，并且至少在横向于该有源区的主延伸方向的方向上遮盖有源层。例如，该有源层于是被布置在该覆盖层与核心区之间。该覆盖层在此尤其可以完全遮盖该有源层。在制造公差的范围内，该覆盖层优选地具有均匀的厚度。