[发明专利]具有纹理结构的硅基板的制法无效

专利信息
申请号: 201280060391.5 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN103988313A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 梅川秀喜;松井真二;大本慎也 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 纹理 结构 硅基板 制法
【权利要求书】:

1.一种具有纹理结构的硅基板的制法,其特征在于,其是制造具有纹理结构的硅基板的方法,所述制法包括如下工序:

(A)在硅基板上用含有树脂的组合物形成图案的工序;

(B)对图案部分以外的硅基板表面照射蚀刻气体的工序;和

(C)利用碱蚀刻液对照射了蚀刻气体的硅基板进行处理,在图案部分之下形成凹结构的工序。

2.根据权利要求1所述的制法,其中,含有树脂的组合物为含有光固性树脂的组合物。

3.根据权利要求2所述的制法,其中,含有光固性树脂的组合物包含(a)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体及(b)光聚合引发剂。

4.根据权利要求3所述的制法,其中,含有光固性树脂的组合物还包含(a’)具有(甲基)丙烯酰基的含酸性基团聚合性单体。

5.根据权利要求3或4所述的制法,其中,含有光固性树脂的组合物还包含(c)硅化合物。

6.根据权利要求5所述的制法,其中,硅化合物包含烷氧基硅烷类或烷氧基硅烷类的水解物。

7.根据权利要求6所述的制法,其中,烷氧基硅烷类的水解物包含选自由如下水解物组成的组中的至少一种:包含通式(2)所示的普通烷氧基硅烷及通式(3)所示的含(甲基)丙烯酰基烷氧基硅烷的混合物的水解物;所述通式(3)所示的含(甲基)丙烯酰基烷氧基硅烷的水解物;及包含所述通式(2)所示的普通烷氧基硅烷、通式(3)所示的含(甲基)丙烯酰基烷氧基硅烷、及通式(6)所示的金属醇盐的混合物的水解物,

式(2)中,R5为相同种类或不同种类的碳原子数1~4的烷基,n为1~10的整数;

式(3)中,R6为氢原子或甲基;R7为碳原子数1~10的亚烷基、碳原子数3~10的亚环烷基或碳原子数3~10的多亚甲基;R8为碳原子数1~4的烷基、碳原子数3~4的环烷基或碳原子数6~12的芳基;R9为碳原子数1~4的烷基或碳原子数3~4的环烷基;l为1~3的整数,m为0~2的整数,k为1~3的整数,l+m+k为4;R6、R7、R8及R9分别存在多个时,这些多个R6、R7、R8及R9可以是相同种类或不同种类的基团;

式(6)中,M为锆或钛;R13为相同种类或不同种类的碳原子数1~10的烷基。

8.根据权利要求1~7中的任一项所述的制法,其中,在工序(A)中,在硅基板上涂布含有树脂的组合物、使其形成涂膜后,利用模具在涂膜上转印图案,从而在基板上形成图案。

9.根据权利要求1~8中的任一项所述的制法,其中,在工序(A)中,硅基板是未经形成氧化膜的工序的硅基板。

10.根据权利要求1~9中的任一项所述的制法,其中,得到的硅基板的纹理结构为适于太阳能电池晶圆用或LED基板用的纹理结构。

11.根据权利要求1~10中的任一项所述的制法,其中,在工序(B)中,蚀刻气体为至少包含氟系气体或氧气的蚀刻气体。

12.根据权利要求1~11中的任一项所述的制法,其中,在工序(C)中,碱蚀刻液为碱金属氢氧化物/异丙醇的水溶液。

13.根据权利要求1~12中的任一项所述的制法,其中,还包括对通过工序(C)得到的具有纹理结构的硅基板进行碱冲洗而去除图案的残渣的工序。

14.一种具有纹理结构的硅基板,其是通过权利要求1~13中的任一项所述的制法制作而成的。

15.根据权利要求14所述的硅基板,其中,具有纹理结构的硅基板用于形成太阳能电池用的硅基板或LED发光元件用的硅基板、或者纳米压印用模具。

16.一种含有光固性树脂的组合物,其用作权利要求1所述的制法中的含有树脂的组合物,所述含有光固性树脂的组合物包含(a)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体、以及(b)光聚合引发剂。

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