[发明专利]自抑制的溶胀填充剂化合物有效

专利信息
申请号: 201280060505.6 申请日: 2012-11-05
公开(公告)号: CN104039915B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: D·P·格拉德;J·E·古德森;J·C·威尔驰;A·K·萨达纳 申请(专利权)人: 贝克休斯公司
主分类号: C09K3/10 分类号: C09K3/10;E21B33/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈晰
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 抑制 填充 化合物
【权利要求书】:

1.一种井下密封剂,其包含:

组合物,其包含:

聚合物;

吸收剂材料;

主交联网络,其包含聚合物链之间的主键;和

次交联网络,其是暂时的。

2.权利要求1的井下密封剂,其中所述次交联网络包含吸收剂材料和交联剂之间的次键。

3.权利要求2的井下密封剂,其中所述次键相对于主键是不稳定的。

4.权利要求3的井下密封剂,其中所述次键是共价键,离子键,氢键,物理键或其组合。

5.权利要求3的井下密封剂,其中所述次键在pH大约8-大约10时断裂。

6.权利要求3的井下密封剂,其中所述次键在大约95℃-大约150℃的温度断裂。

7.权利要求3的井下密封剂,其中所述次键在大约20MPa-大约105MPa的压力断裂。

8.权利要求2的井下密封剂,其中所述交联剂选自钛酸酯/盐,锆酸酯,氨基羧酸,金属螯合物,丙烯酸酯,硼酸盐,缩酮或其组合。

9.权利要求8的井下密封剂,其中所述交联剂是钛酸酯/盐,其具有式1所给出的结构,

式1

其中A是卤素或者氧;

R1、R2、R3和R4独立地是氢,任选取代的烷基,任选取代的氟烷基,任选取代的环烷基,任选取代的杂环烷基,任选取代的芳基,任选取代的芳烷基,任选取代的杂芳基,任选取代的杂芳烷基,任选取代的烯基,任选取代的炔基,任选取代的NH2,任选取代的胺,任选取代的亚烷基胺,任选取代的亚芳基胺,任选取代的亚烯基胺;和

R4在A是卤素时不存在。

10.权利要求9的井下密封剂,其中所述钛酸酯/盐选自二异丙氧化双(乙酰基丙酮酸)钛(IV),异丙氧化钛(IV),丁氧化钛(IV),乙氧化钛(IV),氯三异丙氧基钛(IV),双(乳酸铵)二氢氧化钛(IV),叔丁氧化钛(IV),2-乙基己基氧化钛(IV),异丙氧化钛(IV),甲氧化钛(IV),丙氧化钛(IV),(三乙醇胺化)异丙氧化钛(IV),2-乙基己基氧化钛(IV),四氢糠基氧化钛(IV),二异丙氧化双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钛(IV),四-2-乙基己酸钛(IV),钛酸辛二醇酯或者其组合。

11.权利要求8的井下密封剂,其中所述钛酸酯/盐的存在量是大约0.01wt%-大约10wt%,基于该聚合物的重量。

12.权利要求8的井下密封剂,其中所述交联剂是锆酸酯/盐,其具有式2所给出的结构,

式2

其中A是卤素或者氧;

R1、R2、R3和R4独立地是氢,任选取代的烷基,任选取代的氟烷基,任选取代的环烷基,任选取代的杂环烷基,任选取代的芳基,任选取代的芳烷基,任选的取代的杂芳基,任选取代的杂芳烷基,任选取代的烯基,任选取代的炔基,任选取代的NH2,任选取代的胺,任选取代的亚烷基胺,任选取代的亚芳基胺,任选取代的亚烯基胺;和

R4在A是卤素时不存在。

13.权利要求12的井下密封剂,其中所述锆酸酯/盐选自乙酰基丙酮酸锆(IV);丙烯酸锆(IV),丁氧化锆(IV),叔丁氧化锆(IV),碳酸锆(IV);碳酸锆(IV)氢氧化物;羧乙基丙烯酸锆(IV),二异丙氧化双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)锆(IV);乙氧化锆(IV);丙氧化锆(IV);甲氧化锆(IV);乙酸锆(IV)氢氧化物;双(二乙基柠檬酸)二丙氧化锆(IV);异丙氧化锆(IV);三氟乙酰基丙酮酸锆(IV);或者其组合。

14.权利要求8的井下密封剂,其中所述锆酸酯/盐的存在量是大约0.01wt%-大约10wt%,基于该聚合物的重量。

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