[发明专利]传感器单元以及固体摄像装置有效
申请号: | 201280060686.2 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103999220B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 藤田一树;久嶋龙次;森治通;冈田晴义;泽田纯一 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G01T7/00;H01L27/144;H04N5/32;H04N5/369 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 单元 以及 固体 摄像 装置 | ||
技术领域
本发明涉及传感器单元以及固体摄像装置。
背景技术
在专利文献1中记载有X射线检测装置。该X射线检测装置具备将非晶硅作为构成材料的传感器基板、安装有移位寄存器以及检测用集成电路的柔性电路基板。在传感器基板上设置有用于将X射线转换成可见光的荧光体(CsI)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开2005-326403号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在具有像素遍及多行以及多列被配置成二维状的受光面的固体摄像元件中,为了放大从各列的像素被转送的信号(电荷)并依次进行输出,设置有积分电路或电压保持电路。这些电路除了在一块基板上与受光面并排进行形成的情况之外还有被形成于与该基板不同的半导体芯片的情况。
例如,在医疗用X射线摄像系统的用途等中,不断开发通过在大面积的玻璃基板上具备多晶硅被堆积而成的薄膜晶体管或非晶硅被堆积而成的光电二极管从而与由单晶硅晶片制作的现有的固体摄像元件相比较具有格外宽的受光面积(例如,一边为30cm~40cm左右)的固体摄像元件。例如,在具备这样的结构的固体摄像元件中,从动作速度的观点出发,相比于由多晶硅将积分电路或电压保持电路形成于玻璃基板上,更加优选将这些电路形成于CMOS型的半导体芯片并且由接合线(bonding wire)等连接该半导体芯片和固体摄像元件的方式。
图17是表示具备这样的方式的传感器单元的例子的截面图,该传感器单元100具备具有多个像素的固体摄像元件101、内置积分电路或电压保持电路的半导体芯片102。固体摄像元件101和半导体芯片102被安装(芯片焊接(die bonding))于一块配线基板(玻璃环氧基板)107的表面上,并由接合线106被互相电连接。闪烁器103被配置于固体摄像元件101的受光面上,X射线等的放射线被转换成可见光并入射到固体摄像元件101的受光面。还有,传感器单元100也可以进一步具备容纳固体摄像元件101以及半导体芯片102的筐体(没有图示)。在筐体上设置有朝着固体摄像元件101使到达传感器单元100的放射线透过的窗口构件。另外,在配线基板107的背面侧配置有铁制的基座(base)基板108以及控制基板109。
但是,在图17所表示的结构中,会产生以下的问题。内置积分电路或电压保持电路的半导体芯片102与固体摄像元件101相比较发热量变大。于是,如传感器单元100那样,在固体摄像元件101和半导体芯片102被安装于共同的配线基板107上的构造中,在半导体芯片102中所产生的热通过配线基板107而容易到达固体摄像元件101的附近。其结果,构成各个像素的光电二极管的暗电流会增大,另外,会有使闪烁器103的功能降低的担忧。特别是在硅被堆积于大面积的玻璃基板上而成的固体摄像元件中,因为像素数格外多并且半导体芯片的个数也变多,所以半导体芯片的发热量变大,上述的问题会变得显著。
本发明是有鉴于这样的问题而悉心研究的结果,其目的在于,提供一种能够减少来自半导体芯片的发热的对固体摄像元件的影响的传感器单元以及固体摄像装置。
解决问题的技术手段
为了解决上述的技术问题,本发明所涉及的传感器单元,其特征在于,具备:基座(base)构件,是具有主面以及背面的金属制的构件并且第一载置区域和将背面作为基准的高度低于第一载置区域的第二载置区域被形成于主面;固体摄像元件,具有受光面和位于该受光面的相反侧的背面并以该背面与第一载置区域互相相对的方式被配置于第一载置区域上;信号读出用半导体芯片,被安装于在基座构件的第二载置区域上配置的配线基板上并放大输出从固体摄像元件被输出的信号;基座构件进一步具有与固体摄像元件的侧面相对的侧壁部,信号读出用半导体芯片和固体摄像元件通过接合线而被互相电连接,配线基板具有热通孔(thermal via),信号读出用半导体芯片通过热通孔而与基座构件热耦合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的